ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI2323DS-T1-E3
Datasheet下载- 型号： SI2323DS-T1-E3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2323DS-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2323DS-T1-E3价格参考￥1.19-￥1.58。VishaySI2323DS-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 3.7A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）。您可以下载SI2323DS-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2323DS-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI2323DS-T1-E3 是一款N沟道MOSFET，属于小信号功率晶体管，广泛应用于便携式电子设备和电源管理领域。其主要应用场景包括： 1. 电源开关电路：常用于电池供电设备中的负载开关，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，实现对子系统的上电/断电控制，以降低功耗、提高能效。 2. DC-DC转换器：在同步整流型降压（Buck）或升压（Boost）转换电路中作为低边开关使用，适用于高效率、小体积的电源模块。 3. 电机驱动与继电器驱动：用于小型直流电机或继电器的控制开关，提供快速响应和低导通损耗。 4. LED背光驱动：在中小尺寸显示屏背光控制中作为开关元件，实现亮度调节或开关功能。 5. 热插拔与过流保护电路：配合控制器实现电源路径管理，防止电流冲击或短路损坏系统。 该器件采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度PCB布局；具备低导通电阻（Rds(on)约0.07Ω）、低栅极电荷和良好的开关特性，兼顾性能与节能需求。由于其高可靠性与稳定性，也常见于工业控制、消费类电子产品和通信设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3MOSFET 20V 3.7A 0.039Ohm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.7 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72024 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI2323DS-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI2323DS-T1-E3SI2323DS-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 750 mW |
| Pd-功率耗散 | 750 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 39 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 39 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 43 ns |
| 下降时间 | 43 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1020pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 39 毫欧 @ 4.7A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | SI2323DS-T1-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 71 ns |
| 功率-最大值 | 750mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.7A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI2323DS-E3 |
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