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IRF1404ZPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF1404ZPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF1404ZPBF价格参考¥4.87-¥5.34。International RectifierIRF1404ZPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 40V 180A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRF1404ZPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF1404ZPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF1404ZPBF是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 电源管理 IRF1404ZPBF常用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC converters)中。它能够高效地控制电流的通断,实现电压调节和功率转换。由于其低导通电阻(Rds(on)),在高电流应用中可以减少功耗,提高效率。 2. 电机驱动 在电动工具、家用电器和工业自动化设备中,IRF1404ZPBF用于驱动电机。它可以承受较高的电流和电压,确保电机启动、运行和停止时的稳定性和可靠性。此外,它还可以用于无刷直流电机(BLDC)的电子换向电路中。 3. 逆变器 在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中,IRF1404ZPBF用于将直流电转换为交流电。它能够快速切换,适应不同的负载需求,并且具有较低的开关损耗,有助于提高系统的整体效率。 4. 电池管理系统 在电动汽车(EV)、混合动力汽车(HEV)以及便携式电子设备的电池管理系统中,IRF1404ZPBF用于保护电池免受过充、过放和短路的影响。它可以通过精确控制充电和放电电流,延长电池寿命并提高安全性。 5. 脉宽调制(PWM)控制器 在LED照明、音频放大器等需要精确控制输出功率的应用中,IRF1404ZPBF作为PWM控制器的关键组件,通过调整占空比来调节输出电压或电流,实现亮度调节、音量控制等功能。 6. 不间断电源(UPS) 在UPS系统中,IRF1404ZPBF用于在市电中断时迅速切换到备用电源,确保关键设备的持续供电。它能够在短时间内承受较大的电流冲击,保证系统的稳定运行。 总结 IRF1404ZPBF凭借其优异的电气性能和可靠性,在电源管理、电机驱动、逆变器、电池管理、PWM控制器和UPS等多种应用场景中表现出色。其低导通电阻、高开关速度和良好的散热特性,使其成为众多电力电子设计中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 75A TO-220ABMOSFET MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 180 A |
| Id-连续漏极电流 | 180 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF1404ZPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF1404ZPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 200 W |
| Pd-功率耗散 | 200 W |
| Qg-GateCharge | 100 nC |
| Qg-栅极电荷 | 100 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 110 ns |
| 下降时间 | 58 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4340pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 150nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.7 毫欧 @ 75A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRF1404ZPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 36 ns |
| 功率-最大值 | 200W |
| 功率耗散 | 200 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 2.7 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 100 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 170 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 180 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf1404z.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf1404z.spi |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |