Datasheet下载- 型号： SUP60N06-12P-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SUP60N06-12P-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUP60N06-12P-GE3价格参考。VishaySUP60N06-12P-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SUP60N06-12P-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SUP60N06-12P-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SUP60N06-12P-GE3是一款N沟道功率MOSFET，其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 开关电源（SMPS） - SUP60N06-12P-GE3适用于各种开关电源设计，例如AC/DC转换器、DC/DC转换器和反激式变换器。该器件具有低导通电阻（Rds(on)），能够有效降低导通损耗，提高电源转换效率。 - 它的60V耐压能力使其适合用于低至中等电压的应用场景。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机驱动中，这款MOSFET可以用作开关元件，控制电机的启动、停止和速度调节。 - 其快速开关特性和低导通电阻有助于减少发热，延长系统的使用寿命。 3. 负载开关 - 该MOSFET可以作为负载开关使用，在便携式设备（如智能手机、平板电脑等）中实现电路保护功能，例如过流保护和短路保护。 - 它的小型封装（SOT-223）也使得其非常适合空间受限的设计。 4. 电池管理 - 在电池管理系统（BMS）中，SUP60N06-12P-GE3可用于充放电控制，确保电池在安全范围内工作。 - 它还可以用作电池保护开关，防止过充或过放。 5. LED驱动 - 在LED照明应用中，这款MOSFET可以用作PWM调光开关，调节LED亮度，同时保持高效率和低热量产生。 6. 工业控制 - 在工业自动化领域，该MOSFET可以用于控制继电器、电磁阀或其他低电压负载的开关操作。 - 其坚固的设计和可靠性使其能够在严苛环境下长期运行。 7. 汽车电子 - 虽然SUP60N06-12P-GE3并非专为汽车级设计，但在非关键性车载应用中（如车窗升降器、座椅调节器等），它也可以作为开关元件使用。 总之，SUP60N06-12P-GE3凭借其高性能参数和紧凑封装，广泛适用于消费电子、工业控制、通信设备以及一些轻型汽车电子应用中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 60A TO220ABMOSFET 60V 60A 100W 12mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUP60N06-12P-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SUP60N06-12P-GE3SUP60N06-12P-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.25 W |
| Pd-功率耗散 | 3.25 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 12 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 12 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1970pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 55nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 功率-最大值 | 3.25W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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