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  • 型号: TK9J90E,S1E
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TK9J90E,S1E由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK9J90E,S1E价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK9J90E,S1E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TK9J90E,S1E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TK9J90E,S1E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Toshiba Semiconductor and Storage(东芝半导体与存储)生产的型号为 TK9J90E,S1E 的晶体管属于 FET, MOSFET - 单 类别。以下是该型号可能的应用场景:

 1. 电源管理
   - 该MOSFET适用于各种电源管理应用,例如DC-DC转换器、开关电源(SMPS)、电池充电电路等。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少功率损耗,提高效率。
   - 可用于笔记本电脑适配器、手机充电器或其他便携式电子设备的电源模块。

 2. 电机驱动
   - TK9J90E,S1E 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关器件控制电机的启动、停止和速度调节。
   - 应用实例包括家用电器(如风扇、吸尘器)或工业自动化设备中的电机控制。

 3. 负载切换
   - 在需要快速切换高电流负载的场景中,该MOSFET可以作为负载开关使用。例如,在汽车电子系统中,控制车灯、雨刷器或电动座椅的供电。
   - 也可用于消费电子产品的负载管理,如打印机、扫描仪等设备的电源切换。

 4. 信号放大与缓冲
   - 由于其优良的开关特性和放大能力,该MOSFET可用于信号放大和缓冲电路中,尤其是在高频信号处理领域。
   - 适合音频放大器、射频(RF)前端电路等应用。

 5. 保护电路
   - TK9J90E,S1E 可用于过流保护、短路保护或反向电压保护电路中,确保系统的安全运行。
   - 例如,在USB接口或锂电池保护板中,防止因异常情况导致的设备损坏。

 6. 逆变器与太阳能系统
   - 在小型逆变器或太阳能发电系统中,该MOSFET可以用作开关元件,实现直流到交流的转换。
   - 其高效能表现有助于提升能量转换效率,降低热损耗。

 总结
TK9J90E,S1E 是一款性能优异的单通道MOSFET,广泛应用于电源管理、电机驱动、负载切换、信号处理、保护电路以及逆变器等领域。其具体应用场景取决于其电气参数(如耐压、电流容量、导通电阻等)是否满足目标设计的需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 900V TO-3PN

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK9J90E

产品图片

产品型号

TK9J90E,S1E

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 900µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2000pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

46nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.3 欧姆 @ 4.5A,10V

供应商器件封装

TO-3P(N)

其它名称

TK9J90E,S1E(S
TK9J90ES1E

功率-最大值

250W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-3P-3,SC-65-3

标准包装

150

漏源极电压(Vdss)

900V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9A (Ta)

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