ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FQD3P50TF
Datasheet下载- 型号： FQD3P50TF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD3P50TF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD3P50TF价格参考。Fairchild SemiconductorFQD3P50TF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 500V 2.1A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak。您可以下载FQD3P50TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD3P50TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD3P50TF 是由 ON Semiconductor 生产的单个 N 沟道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），其应用场景广泛，特别是在电力电子和控制电路中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理：FQD3P50TF 常用于开关电源、直流-直流转换器等电源管理系统中。其低导通电阻（Rds(on)）特性使其在高效率电源转换应用中表现出色，能够有效减少功率损耗，提高转换效率。 2. 电机驱动：该 MOSFET 适用于小型电机驱动电路，如无刷直流电机（BLDC）、步进电机等。它可以通过快速开关操作来实现对电机速度和方向的精确控制，同时具备良好的热稳定性和耐压能力，确保长时间稳定运行。 3. 电池管理系统 (BMS)：在锂电池或其他类型电池的保护电路中，FQD3P50TF 可以用作充电/放电路径上的开关元件，防止过充、过放以及短路等异常情况发生，从而保护电池安全。 4. 负载切换与保护：在工业自动化设备或消费电子产品中，FQD3P50TF 可作为负载切换开关，用于控制不同负载之间的通断状态。此外，它还可以提供过流保护功能，避免因电流过大而损坏下游电路。 5. 太阳能逆变器：在光伏系统中，MOSFET 是逆变器的重要组成部分之一。FQD3P50TF 具有较高的耐压值（500V），能够在光伏板输出电压较高时正常工作，确保将直流电高效地转换为交流电并接入电网。 6. 汽车电子：在汽车领域，FQD3P50TF 可应用于车灯控制、电动座椅调节、空调系统等需要大电流驱动的应用场景，满足汽车电气系统的严格要求。 总之，FQD3P50TF 凭借其优异的电气性能，在众多电力电子和控制系统中发挥着重要作用，成为工程师设计高性能电路的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD3P50TF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 660pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.9 欧姆 @ 1.05A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.1A （Tc） |
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