BZX84C36LT1G产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BZX84C36LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX84C36LT1G价格参考。ON SemiconductorBZX84C36LT1G封装/规格：二极管 - 齐纳 - 单， Zener Diode 36V 225mW ±6% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载BZX84C36LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZX84C36LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BZX84C36LT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的齐纳二极管，属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。其主要应用场景包括：

 1. 电压稳压
   - BZX84C36LT1G 的齐纳击穿电压为 36V，常用于电路中的电压稳压功能。它能够将电压稳定在设定的齐纳电压值附近，适用于需要恒定电压的场景，例如为低功耗电路提供稳定的参考电压。

 2. 过压保护
   - 在电源或信号线中，BZX84C36LT1G 可以用作过压保护器件。当输入电压超过齐纳电压时，齐纳二极管导通并将多余的电流分流到地，从而保护后续电路免受过高电压的损害。

 3. 信号电平调整
   - 在信号处理电路中，这款齐纳二极管可用于限制信号的幅值。例如，在音频或射频电路中，它可以用来削波或限制输入信号的范围，防止信号过大导致失真或损坏。

 4. 电源监控电路
   - 在电源监控应用中，BZX84C36LT1G 可作为参考电压源，与运放或其他比较器配合使用，检测电源电压是否低于或高于某个阈值，并触发相应的保护机制。

 5. 电池管理
   - 在电池管理系统中，齐纳二极管可以用于监测电池电压。当电池电压达到或超过齐纳电压时，齐纳二极管导通，触发保护电路以防止过充。

 6. 浪涌抑制
   - 在某些工业或汽车电子系统中，BZX84C36LT1G 可用于抑制瞬态电压浪涌，保护敏感元件免受高压脉冲的影响。

 特性总结
- 额定功率：约 0.5W（具体取决于封装和散热条件）。
- 反向漏电流：较低，适合对精度要求较高的应用。
- 小型封装：SOD-323 封装，适合空间受限的设计。

这款齐纳二极管因其高性价比、可靠性和广泛的工作温度范围（通常为 -55°C 至 +175°C），非常适合消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域的应用。

BZX84C36LT1G产品简介：

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BZX84C36LT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的齐纳二极管，属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。其主要应用场景包括：

 1. 电压稳压
   - BZX84C36LT1G 的齐纳击穿电压为 36V，常用于电路中的电压稳压功能。它能够将电压稳定在设定的齐纳电压值附近，适用于需要恒定电压的场景，例如为低功耗电路提供稳定的参考电压。

 2. 过压保护
   - 在电源或信号线中，BZX84C36LT1G 可以用作过压保护器件。当输入电压超过齐纳电压时，齐纳二极管导通并将多余的电流分流到地，从而保护后续电路免受过高电压的损害。

 3. 信号电平调整
   - 在信号处理电路中，这款齐纳二极管可用于限制信号的幅值。例如，在音频或射频电路中，它可以用来削波或限制输入信号的范围，防止信号过大导致失真或损坏。

 4. 电源监控电路
   - 在电源监控应用中，BZX84C36LT1G 可作为参考电压源，与运放或其他比较器配合使用，检测电源电压是否低于或高于某个阈值，并触发相应的保护机制。

 5. 电池管理
   - 在电池管理系统中，齐纳二极管可以用于监测电池电压。当电池电压达到或超过齐纳电压时，齐纳二极管导通，触发保护电路以防止过充。

 6. 浪涌抑制
   - 在某些工业或汽车电子系统中，BZX84C36LT1G 可用于抑制瞬态电压浪涌，保护敏感元件免受高压脉冲的影响。

 特性总结
- 额定功率：约 0.5W（具体取决于封装和散热条件）。
- 反向漏电流：较低，适合对精度要求较高的应用。
- 小型封装：SOD-323 封装，适合空间受限的设计。

这款齐纳二极管因其高性价比、可靠性和广泛的工作温度范围（通常为 -55°C 至 +175°C），非常适合消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域的应用。