Datasheet下载- 型号： PZU5.1BL,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PZU5.1BL,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PZU5.1BL,315价格参考。NXP SemiconductorsPZU5.1BL,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PZU5.1BL,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PZU5.1BL,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia 的 PZU5.1BL,315 是一款高精度、低功耗的 5.1 V 单齐纳二极管，采用超小型 SOD-323（SC-76）封装，具有 ±1% 的 tight tolerance（典型容差）、低动态阻抗（约 90 Ω）和优异的长期稳定性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC 参考源、微控制器复位电路）提供稳定、精确的 5.1 V 基准电压；适用于电池供电设备中对功耗敏感的场合。 2. 过压保护与箝位：在 I/O 接口（如 UART、I²C、GPIO）或电源输入端用作瞬态电压抑制辅助器件，配合 TVS 或限流电阻，将电压箝位在安全范围，防止后级 IC 损坏。 3. 精密偏置电路：为运算放大器、比较器或晶体管提供温度稳定性较好（TC ≈ –2 mV/°C）、低噪声的偏置点。 4. 消费电子与便携设备：广泛用于智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备、IoT 传感器节点等空间受限、强调能效与可靠性的产品中，得益于其小尺寸、无铅、符合 AEC-Q200（部分批次）及 RoHS/REACH 环保标准。 该器件工作电流典型为 5 mA，反向漏电流极低（IR < 100 nA @ VR = 1 V），适合待机功耗要求严苛的设计。需注意合理设计限流电阻以确保工作在额定功率（250 mW）内，并避免热失控。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 5.1V 250MW SOD882 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PZU5.1BL,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 2µA @ 1.5V |
| 供应商器件封装 | SOD-882 |
| 其它名称 | 934061667315 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | SOD-882 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 5.1V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 60 欧姆 |
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