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  • 型号: FDMA530PZ
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDMA530PZ产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMA530PZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMA530PZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDMA530PZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, P-Channel 30V 6.8A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)。您可以下载FDMA530PZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMA530PZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDMA530PZ是安森美(ON Semiconductor)生产的一款P沟道增强型MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET)类别。该器件采用先进的TrenchFET®技术,具有低导通电阻(RDS(on))、高开关效率和小尺寸封装(如1.8mm × 1.8mm DFN),适用于空间受限的便携式电子设备。

其主要应用场景包括:

1. 电源管理:广泛用于电池供电设备中的负载开关或电源通断控制,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,能够有效降低功耗,延长电池续航时间。

2. DC-DC转换电路:在同步整流或电压反转电路中作为开关元件,提升电源转换效率,适用于低电压、高效率的电源设计。

3. 电机驱动与继电器替代:可用于小型直流电机的控制或固态继电器应用,实现无触点开关,提高系统可靠性。

4. 热插拔与过流保护电路:凭借快速响应特性和低导通损耗,适合用于USB端口、SD卡接口等需要防反接和过载保护的场合。

5. 消费类电子产品:如无线耳机、智能手表、电子书阅读器等对尺寸和功耗敏感的产品中,作为高效的功率开关使用。

FDMA530PZ因其优异的电气性能和紧凑封装,在需要高效、节能和小型化的现代电子系统中具有广泛应用价值。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 30V 6.8A MLP2X2MOSFET -30V P-Ch PowerTrench MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

6.8 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMA530PZPowerTrench®

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产品型号

FDMA530PZ

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

2.4 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

35 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

上升时间

21 ns

下降时间

31 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1070pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

24nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

35 毫欧 @ 6.8A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

MicroFET 2x2

其它名称

FDMA530PZCT

典型关闭延迟时间

43 ns

功率-最大值

900mW

包装

剪切带 (CT)

单位重量

30 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-WDFN 裸露焊盘

封装/箱体

MicroFET

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

17 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6.8A (Ta)

系列

FDMA530PZ

配置

Single Quad Drain

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