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FQA24N60产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQA24N60由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQA24N60价格参考。Fairchild SemiconductorFQA24N60封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 23.5A(Tc) 310W(Tc) TO-3PN。您可以下载FQA24N60参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQA24N60 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQA24N60是ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - FQA24N60适用于各种开关电源设计,例如DC-DC转换器、反激式变换器和正激式变换器。其高电压耐受能力(600V击穿电压)使其非常适合高压输入场景。 - 在开关电源中,该器件可作为主开关管或同步整流管,提供高效的功率转换。 2. 电机驱动 - 该MOSFET可用于驱动中小型直流电机或步进电机。其低导通电阻(Rds(on) 典型值为0.35Ω @ Vgs=10V)有助于减少功率损耗,提高效率。 - 在H桥或半桥电路中,FQA24N60可以实现对电机的正转、反转和速度控制。 3. 逆变器 - 在太阳能逆变器或UPS(不间断电源)系统中,FQA24N60可以用作功率开关,将直流电转换为交流电。 - 它的快速开关特性和较低的栅极电荷(Qg典型值为29nC)有助于降低开关损耗,提升系统效率。 4. 负载切换 - 该MOSFET适用于需要频繁开启或关闭的负载切换应用,如汽车电子中的继电器替代方案。 - 在这些场景中,FQA24N60能够承受较高的电压波动,并提供可靠的电流控制。 5. PFC(功率因数校正)电路 - 在有源功率因数校正电路中,FQA24N60可用作升压开关,帮助改善输入电流波形,满足严格的电磁兼容性(EMC)要求。 6. 电动车与电动工具 - 该器件适合用于电动车(如电动自行车)或电动工具(如无绳钻机)的电池管理系统(BMS)和驱动电路中。 - 它能够在高电压环境下稳定工作,同时支持高效的能量传输。 总结 FQA24N60凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于工业、消费类电子和汽车领域。它特别适合需要高效功率转换和可靠性能的高压场景。在实际使用中,需根据具体电路需求选择合适的驱动电压和散热方案,以充分发挥其性能优势。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 600V 23.5A TO-3PMOSFET 600V N-Channel QFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 23.5 A |
Id-连续漏极电流 | 23.5 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQA24N60QFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQA24N60 |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 310 W |
Pd-功率耗散 | 310 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 240 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 240 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 270 ns |
下降时间 | 170 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5500pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 145nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 240 毫欧 @ 11.8A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-3PN |
其它名称 | FQA24N60-ND |
典型关闭延迟时间 | 200 ns |
功率-最大值 | 310W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 6.401 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
封装/箱体 | TO-3PN-3 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
正向跨导-最小值 | 22.5 S |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 23.5A (Tc) |
系列 | FQA24N60 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | FQA24N60_NL |