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  • 型号: FQA24N60
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FQA24N60产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQA24N60由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQA24N60价格参考。Fairchild SemiconductorFQA24N60封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 23.5A(Tc) 310W(Tc) TO-3PN。您可以下载FQA24N60参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQA24N60 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQA24N60是ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景:

 1. 开关电源(SMPS)
   - FQA24N60适用于各种开关电源设计,例如DC-DC转换器、反激式变换器和正激式变换器。其高电压耐受能力(600V击穿电压)使其非常适合高压输入场景。
   - 在开关电源中,该器件可作为主开关管或同步整流管,提供高效的功率转换。

 2. 电机驱动
   - 该MOSFET可用于驱动中小型直流电机或步进电机。其低导通电阻(Rds(on) 典型值为0.35Ω @ Vgs=10V)有助于减少功率损耗,提高效率。
   - 在H桥或半桥电路中,FQA24N60可以实现对电机的正转、反转和速度控制。

 3. 逆变器
   - 在太阳能逆变器或UPS(不间断电源)系统中,FQA24N60可以用作功率开关,将直流电转换为交流电。
   - 它的快速开关特性和较低的栅极电荷(Qg典型值为29nC)有助于降低开关损耗,提升系统效率。

 4. 负载切换
   - 该MOSFET适用于需要频繁开启或关闭的负载切换应用,如汽车电子中的继电器替代方案。
   - 在这些场景中,FQA24N60能够承受较高的电压波动,并提供可靠的电流控制。

 5. PFC(功率因数校正)电路
   - 在有源功率因数校正电路中,FQA24N60可用作升压开关,帮助改善输入电流波形,满足严格的电磁兼容性(EMC)要求。

 6. 电动车与电动工具
   - 该器件适合用于电动车(如电动自行车)或电动工具(如无绳钻机)的电池管理系统(BMS)和驱动电路中。
   - 它能够在高电压环境下稳定工作,同时支持高效的能量传输。

 总结
FQA24N60凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于工业、消费类电子和汽车领域。它特别适合需要高效功率转换和可靠性能的高压场景。在实际使用中,需根据具体电路需求选择合适的驱动电压和散热方案,以充分发挥其性能优势。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 600V 23.5A TO-3PMOSFET 600V N-Channel QFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

23.5 A

Id-连续漏极电流

23.5 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQA24N60QFET®

数据手册

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产品型号

FQA24N60

PCN设计/规格

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

310 W

Pd-功率耗散

310 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

240 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

240 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

270 ns

下降时间

170 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5500pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

145nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

240 毫欧 @ 11.8A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-3PN

其它名称

FQA24N60-ND
FQA24N60FS

典型关闭延迟时间

200 ns

功率-最大值

310W

包装

管件

单位重量

6.401 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-3P-3,SC-65-3

封装/箱体

TO-3PN-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

正向跨导-最小值

22.5 S

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

23.5A (Tc)

系列

FQA24N60

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FQA24N60_NL

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