Datasheet下载- 型号： FQPF5N40
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF5N40由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF5N40价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF5N40封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQPF5N40参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQPF5N40 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF5N40 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于晶体管 - FET/MOSFET - 单一类别。该型号的典型应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源（SMPS） - FQPF5N40 的高电压耐受能力（高达 400V）使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用。 - 常见于 AC-DC 或 DC-DC 转换器中作为主开关管或同步整流管。 2. 电机驱动 - 适用于中小功率电机驱动电路，例如步进电机、直流无刷电机（BLDC）或有刷直流电机。 - 可用作 H 桥电路中的开关元件，实现电机的正转、反转和制动控制。 3. 逆变器 - 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，FQPF5N40 可用于高频开关以实现直流到交流的转换。 - 其低导通电阻（Rds(on) 典型值为 0.6Ω@10V 栅极驱动）有助于减少功率损耗。 4. 负载开关 - 用于需要高电压切换的应用场景，例如工业设备、家用电器中的负载开关。 - 提供快速开启/关闭功能，同时具备良好的电气隔离性能。 5. 保护电路 - 可用于过流保护、短路保护等电路设计。 - 利用其栅极驱动特性，配合控制器实现动态保护功能。 6. 继电器替代 - 在需要频繁开关的场景下，FQPF5N40 可替代传统机械继电器，提供更长使用寿命和更高可靠性。 7. 汽车电子 - 适合汽车中的非关键性负载控制，如车灯、风扇、泵等的驱动。 - 需注意其工作温度范围（-55°C 至 +150°C），能够适应较宽的工作环境。 总结 FQPF5N40 凭借其高电压耐受能力、较低的导通电阻以及良好的开关特性，广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子及通信设备等领域。在选择具体应用时，需根据实际需求评估其电流承载能力、散热条件及驱动要求，以确保最佳性能表现。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 400V 3A TO-220FMOSFET 400V N-Channel QFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQPF5N40QFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQPF5N40 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 35 W |
| Pd-功率耗散 | 35 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.6 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.6 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 400 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 400 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 60 ns |
| 下降时间 | 30 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 460pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.6 欧姆 @ 1.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 35W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.270 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 2.8 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 400V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Tc） |
| 系列 | FQPF5N40 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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