Datasheet下载- 型号： TPH2010FNH,L1Q
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TPH2010FNH,L1Q由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPH2010FNH,L1Q价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPH2010FNH,L1Q封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TPH2010FNH,L1Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TPH2010FNH,L1Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TPH2010FNH,L1Q是东芝半导体与存储公司（Toshiba Semiconductor and Storage）推出的一款N沟道MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于各类电子设备的电源管理与功率控制场景。 该器件采用先进的U-MOS VIII-H工艺制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高效率和优异的开关性能。其主要应用场景包括： 1. DC-DC转换器：适用于服务器、通信设备及工业电源中的降压（Buck）或升压（Boost）电路，提升电源转换效率； 2. 电池管理系统：用于笔记本电脑、移动电源及电动工具等设备中，实现高效的充放电控制； 3. 电机驱动：在小型电机控制电路中作为开关元件，如无人机、家用电器中的直流电机驱动； 4. 负载开关与电源开关：用于便携式电子产品（如智能手机和平板）中，控制不同模块的供电通断，降低待机功耗； 5. 热插拔电路：在通信背板或服务器中防止插拔时产生电流冲击，保护系统稳定运行。 TPH2010FNH,L1Q采用小型化封装（如SOP Advance），有助于节省PCB空间，适合高密度组装。其高可靠性和良好热稳定性也使其适用于环境要求较高的工业与消费类应用。总体而言，该MOSFET是一款兼顾性能与能效的通用型功率器件，适用于多种中低电压、中高电流的开关与电源管理场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N CH 250V 8SOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPH2010FNH |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | TPH2010FNH,L1Q |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 200µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 600pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 198 毫欧 @ 2.8A， 10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOP 高级 |
| 其它名称 | TPH2010FNHL1QDKR |
| 功率-最大值 | 42W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.6A （Ta） |
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