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SUD50P08-25L-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SUD50P08-25L-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUD50P08-25L-E3价格参考。VishaySUD50P08-25L-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, P-Channel 80V 50A (Tc) 8.3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)。您可以下载SUD50P08-25L-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SUD50P08-25L-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SUD50P08-25L-E3是一款P沟道增强型MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),广泛应用于电源管理和功率开关场景。该器件具有80V的漏源电压(VDS)和较高的连续漏极电流能力,适用于中高功率场合。 其典型应用场景包括:直流-直流(DC-DC)转换器、同步整流电路、电池供电设备的电源开关、电机驱动控制以及热插拔电路。由于具备低导通电阻(RDS(on)),可有效降低导通损耗,提升系统效率,因此在便携式电子设备(如笔记本电脑、平板电脑)的电源管理模块中尤为常见。 此外,SUD50P08-25L-E3还常用于工业控制设备、电源适配器和UPS(不间断电源)等需要高效、可靠功率开关的系统中。其封装形式(如PowerPAK SO-8)支持表面贴装,有助于减小PCB空间占用,适合高密度电路设计。 综上所述,该MOSFET凭借其优良的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制和电源系统等领域,尤其适用于需要高效能P沟道功率开关的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 80V 50A DPAKMOSFET 80V 50A 136W 25.2mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 12.5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUD50P08-25L-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SUD50P08-25L-E3SUD50P08-25L-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 8.3 W |
| Pd-功率耗散 | 8.3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 25.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 25.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 80 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 80 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 220 ns, 25 ns |
| 下降时间 | 110 ns, 100 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4700pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 160nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 25.2 毫欧 @ 12.5A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252,(D-Pak) |
| 其它名称 | SUD50P08-25L-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 95 ns, 105 ns |
| 功率-最大值 | 136W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 50A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |