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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RRH050P03TB1由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RRH050P03TB1价格参考。ROHM SemiconductorRRH050P03TB1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RRH050P03TB1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RRH050P03TB1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RRH050P03TB1是罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产的一款P沟道MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET)类别。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性,适用于多种电源管理和开关应用。 其主要应用场景包括:便携式电子设备(如智能手机、平板电脑和笔记本电脑)中的电源开关与电池管理,用于实现负载开关、电源通断控制等功能;在DC-DC转换器中作为同步整流或高端开关使用,提升电源转换效率;还可用于电机驱动电路、LED照明调光控制以及各类消费类电子产品中的信号切换与保护电路。 由于RRH050P03TB1采用小型封装,适合空间受限的高密度PCB设计,广泛应用于注重节能与小型化的现代电子设备中。此外,其可靠的性能也使其适用于工业控制模块和家用电器的电源管理单元。总体而言,该MOSFET适用于需要低功耗、高效率和稳定开关性能的中低功率场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 5A SOP8MOSFET Pch -30V -5A MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RRH050P03TB1- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RRH050P03TB1 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 58 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 58 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 850pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.2nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 50 毫欧 @ 5A,10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | RRH050P03TB1CT |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOP-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 4 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5A (Ta) |