Datasheet下载- 型号： FQP58N08
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP58N08由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP58N08价格参考。Fairchild SemiconductorFQP58N08封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQP58N08参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP58N08 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP58N08 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点。该器件广泛应用于需要高效功率控制的场景。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等，因其导通损耗低，有助于提升电源转换效率。 2. 电机驱动：可用于直流电机、步进电机等的驱动电路中，支持高电流负载切换，响应速度快。 3. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）或光伏逆变器中作为功率开关使用，实现电能形式的高效转换。 4. 汽车电子：如车载充电器、电池管理系统（BMS）等，满足汽车环境中对可靠性和稳定性的要求。 5. 工业自动化设备：用于PLC、伺服控制器、工业电源模块中，实现对负载的快速通断控制。 6. 消费类电子产品：如大功率LED驱动、智能家电中的功率控制部分。 FQP58N08凭借其高耐压（80V）、大电流（连续漏极电流达58A）特性，在多种中高功率应用中表现出色，适合用于需要高效能和高可靠性的设计中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 57.5A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQP58N08 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 24 毫欧 @ 28.75A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 146W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 57.5A （Tc） |
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