ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单 > MMBZ5258B-7-F
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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5258B-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5258B-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBZ5258B-7-F封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 36V 350mW ±5% Surface Mount SOT-23-3。您可以下载MMBZ5258B-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5258B-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的MMBZ5258B-7-F是一款小信号齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。它具有以下典型应用场景: 1. 电压稳压: MMBZ5258B-7-F的主要功能是提供稳定的参考电压。它可以用于电源电路中,确保输出电压稳定,尤其是在低功率电路中作为简单的稳压器。 2. 过压保护: 该齐纳二极管可以用于保护敏感电子元件免受过压影响。例如,在信号输入端口或传感器接口中,它可以限制电压在安全范围内。 3. 信号电平调整: 在模拟电路中,MMBZ5258B-7-F可用于调整信号电平,确保信号幅度符合后续电路的要求。 4. 基准电压源: 由于其稳定的齐纳击穿特性,这款二极管可以用作精密基准电压源,适用于需要恒定电压的电路部分。 5. ESD保护: 在某些应用中,它可以用来吸收静电放电(ESD)脉冲,从而保护下游电路免受损害。 6. 音频和射频电路: 在音频放大器或射频电路中,齐纳二极管可用作偏置电压的提供者,确保晶体管或其他有源器件工作在正确的区域。 7. 电池管理系统: 在小型电池管理电路中,它可以监控电池电压并触发保护机制,防止过充或过放。 MMBZ5258B-7-F的封装形式为SOD-123FL,适合表面贴装技术(SMT),因此广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制和其他需要小型化设计的领域。其额定齐纳电压为5.6V(典型值),最大功耗为500mW,能够满足多种低功率应用需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 36V 350MW SOT23-3稳压二极管 36V 350mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated MMBZ5258B-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ5258B-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 27V |
| 产品 | Zener Diode |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | MMBZ5258B-FDICT |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 350mW |
| 功率耗散 | 350 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 0.1 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 70 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 0.9 V |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 36V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMBZ5258B |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 70 欧姆 |
| 齐纳电压 | 36 V |
| 齐纳电流 | 3.4 mA |