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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7485DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7485DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7485DP-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI7485DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7485DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7485DP-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于需要高效功率控制的场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的 DC-DC 转换器和负载开关,实现高效能和低功耗。 2. 电池供电设备:在便携式电子产品如智能手机、平板电脑中作为电源开关或逆向电流保护元件。 3. 马达控制与负载切换:用于小型马达、继电器或灯负载的开关控制,具备良好的导通电阻和热稳定性。 4. 工业自动化:在工业控制系统中用于高频率开关应用,如 PLC 和传感器模块中的功率切换。 该器件采用 8 引脚 SOIC 封装,具有低导通电阻、高耐用性和良好的热性能,适合表面贴装,适用于自动化装配流程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8MOSFET 20V 20A 5.0W 7.3mohm @ 4.5V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 12.5 A |
Id-连续漏极电流 | 12.5 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72275 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7485DP-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI7485DP-T1-GE3SI7485DP-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 1.8 W |
Pd-功率耗散 | 1.8 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.3 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 7.3 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
上升时间 | 140 ns |
下降时间 | 140 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 900mV @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 150nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.3 毫欧 @ 20A,4.5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
其它名称 | SI7485DP-T1-GE3CT |
典型关闭延迟时间 | 360 ns |
功率-最大值 | 1.8W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12.5A (Ta) |
系列 | SI74xxDx |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SI7485DP-GE3 |