Datasheet下载- 型号： TK32E12N1,S1X
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK32E12N1,S1X由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK32E12N1,S1X价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK32E12N1,S1X封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK32E12N1,S1X参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK32E12N1,S1X 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TK32E12N1,S1X 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌晶体管属于 MOSFET - 单 类型，是一款 N沟道增强型功率MOSFET。该器件主要应用于需要高效、高频率开关性能的场合。 主要参数特点： - 高漏源击穿电压（通常为1200V），适合高压应用； - 较高的电流承载能力； - 低导通电阻（Rds(on)）； - 支持高频开关操作； - 封装形式为 SMD/表面贴装，适合自动化生产。 典型应用场景包括： 1. 电源转换器与电源模块：用于DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等，提供高效的能量转换。 2. 工业电机驱动：在变频器或伺服驱动中作为功率开关使用。 3. 太阳能逆变器系统：适用于光伏逆变器中的高频开关电路。 4. 电动汽车充电设备：用于车载充电器或充电桩内部的功率控制单元。 5. 家电控制电路：如电磁炉、空调等大功率电器中的功率调节部分。 总之，该MOSFET适用于需要高压、高频和高效能切换的电力电子系统中，是工业及消费类电源设计中的常用元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 2000 pF |
| 描述 | MOSFET N CH 120V 60A TO-220MOSFET N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK32E12N1 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK32E12N1,S1X- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK32E12N1 |
| 产品型号 | TK32E12N1,S1XTK32E12N1,S1X |
| Pd-PowerDissipation | 98 W |
| Pd-功率耗散 | 98 W |
| Qg-GateCharge | 34 nC |
| Qg-栅极电荷 | 34 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 11 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 11 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 120 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 120 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 14 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 500µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2000pF @ 60V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13.8 毫欧 @ 16A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | TK32E12N1S1X |
| 典型关闭延迟时间 | 43 ns |
| 功率-最大值 | 98W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 120V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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