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  • 型号: STD2NK100Z
  • 制造商: STMicroelectronics
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STD2NK100Z产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STD2NK100Z由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD2NK100Z价格参考。STMicroelectronicsSTD2NK100Z封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 1000V 1.85A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK。您可以下载STD2NK100Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STD2NK100Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的STD2NK100Z是一款高压超级结MOSFET,属于N沟道增强型功率晶体管。该器件具有1000V的高耐压和2A的连续漏极电流能力,采用先进的STripFET技术,具备低导通电阻、优异的开关性能和高效率,适用于需要高电压和高可靠性的电源系统。

其典型应用场景包括:  
1. 高压电源转换:广泛用于开关电源(SMPS)、AC-DC转换器和DC-DC变换器中,特别是在工业电源和电信设备中,支持高能效设计。  
2. 照明系统:适用于LED驱动电源、电子镇流器和高强度气体放电灯(HID)镇流器,提供稳定可靠的高压控制。  
3. 电机驱动与控制:在小功率工业电机、风扇和泵类控制电路中作为开关元件,实现高效节能运行。  
4. 新能源应用:可用于太阳能逆变器中的辅助电源或部分主拓扑结构,支持可再生能源系统的高压需求。  
5. 工业与消费类设备:如复印机、扫描仪、医疗设备等内部高压模块,满足紧凑设计和高可靠性要求。

由于其内置快速恢复体二极管和良好的热稳定性,STD2NK100Z在高温环境下仍能稳定工作,适合对安全性和寿命要求较高的工业级应用。此外,该器件符合RoHS标准,支持环保生产。总体而言,它是一款专为高电压、中低功率场景优化的高性能MOSFET,适用于多种需要高效、小型化和高耐压能力的电子系统。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 1000V 1.85A DPAKMOSFET N-Channel 1000V Zener SuperMESH

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2 A

Id-连续漏极电流

2 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD2NK100ZSuperMESH™

数据手册

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产品型号

STD2NK100Z

Pd-PowerDissipation

70 W

Pd-功率耗散

70 W

Qg-GateCharge

16 nC

Qg-栅极电荷

16 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

8.5 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

8.5 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

1 kV

Vds-漏源极击穿电压

1 kV

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 50µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

499pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

16nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

8.5 欧姆 @ 900mA,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

497-7964-1

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF177664?referrer=70071840

功率-最大值

70W

包装

剪切带 (CT)

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

8.5 Ohms

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

1 kV

漏极连续电流

2 A

漏源极电压(Vdss)

1000V(1kV)

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.85A (Tc)

系列

STD2NK100Z

通道模式

Enhancement

配置

Single

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