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STD2NK100Z产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STD2NK100Z由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD2NK100Z价格参考。STMicroelectronicsSTD2NK100Z封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 1000V 1.85A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK。您可以下载STD2NK100Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STD2NK100Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STD2NK100Z是一款高压超级结MOSFET,属于N沟道增强型功率晶体管。该器件具有1000V的高耐压和2A的连续漏极电流能力,采用先进的STripFET技术,具备低导通电阻、优异的开关性能和高效率,适用于需要高电压和高可靠性的电源系统。 其典型应用场景包括: 1. 高压电源转换:广泛用于开关电源(SMPS)、AC-DC转换器和DC-DC变换器中,特别是在工业电源和电信设备中,支持高能效设计。 2. 照明系统:适用于LED驱动电源、电子镇流器和高强度气体放电灯(HID)镇流器,提供稳定可靠的高压控制。 3. 电机驱动与控制:在小功率工业电机、风扇和泵类控制电路中作为开关元件,实现高效节能运行。 4. 新能源应用:可用于太阳能逆变器中的辅助电源或部分主拓扑结构,支持可再生能源系统的高压需求。 5. 工业与消费类设备:如复印机、扫描仪、医疗设备等内部高压模块,满足紧凑设计和高可靠性要求。 由于其内置快速恢复体二极管和良好的热稳定性,STD2NK100Z在高温环境下仍能稳定工作,适合对安全性和寿命要求较高的工业级应用。此外,该器件符合RoHS标准,支持环保生产。总体而言,它是一款专为高电压、中低功率场景优化的高性能MOSFET,适用于多种需要高效、小型化和高耐压能力的电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 1.85A DPAKMOSFET N-Channel 1000V Zener SuperMESH |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD2NK100ZSuperMESH™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STD2NK100Z |
| Pd-PowerDissipation | 70 W |
| Pd-功率耗散 | 70 W |
| Qg-GateCharge | 16 nC |
| Qg-栅极电荷 | 16 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 499pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8.5 欧姆 @ 900mA,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | 497-7964-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF177664?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 70W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 8.5 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 1 kV |
| 漏极连续电流 | 2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V(1kV) |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.85A (Tc) |
| 系列 | STD2NK100Z |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |