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  • 型号: FDS4488
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDS4488产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDS4488由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS4488价格参考。Fairchild SemiconductorFDS4488封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 7.9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOIC。您可以下载FDS4488参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDS4488 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDS4488 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款双N沟道增强型MOSFET,常用于需要高效功率控制的场景。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器等电源模块,提升转换效率并减小体积。  
2. 负载开关:用于控制电池供电设备中的负载切换,如笔记本电脑、平板及便携式电子设备。  
3. 电机驱动:在小型电机或风扇控制电路中,作为高效开关元件。  
4. LED照明:用于LED驱动电路中的电流调节与开关控制。  
5. 工业自动化:在PLC、传感器模块等工业设备中实现快速、可靠的功率控制。  

该器件采用8引脚SOIC封装,导通电阻低(典型值小于10mΩ),支持高电流(持续漏极电流可达5.9A),具备良好的热稳定性和高频响应,适合高频开关应用。其设计兼顾性能与可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制及通信设备中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOICMOSFET SO-8

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

7.9 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS4488PowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDS4488

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-漏源导通电阻

22 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

上升时间

7.5 ns

下降时间

5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

927pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

13nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

22 毫欧 @ 7.9A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SOIC

其它名称

FDS4488CT

典型关闭延迟时间

25 ns

功率-最大值

1W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

187 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

22 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8 Narrow

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

24 S

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

7.9 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7.9A (Ta)

系列

FDS4488

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

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