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产品简介:
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FQPF9N08L 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于电源管理和功率控制领域。其主要特点包括低导通电阻、高耐压(80V)和较强的电流承载能力,适合中高功率应用。 该器件典型应用场景包括: 1. 电源转换器(SMPS):用于开关电源中的主开关元件,实现高效的电能转换。 2. DC-DC转换器:在汽车电子、工业设备中用于不同电压等级之间的直流变换。 3. 电机驱动:用于电动工具、电动车或自动化设备中的电机控制电路。 4. 负载开关:作为高侧或低侧开关控制大功率负载,如LED照明、加热元件等。 5. 逆变器和UPS系统:在不间断电源或太阳能逆变系统中用于功率切换和能量传输。 6. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制和保护电路。 FQPF9N08L采用TO-220封装,散热性能良好,适合在中等功率条件下使用。由于其性价比高,广泛应用于消费类电子、工业控制和汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 80V 7A TO-220F |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQPF9N08L |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 280pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.1nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 210 毫欧 @ 3.5A,10V |
供应商器件封装 | TO-220F |
功率-最大值 | 23W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 80V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7A (Tc) |