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  • 型号: SI7461DP-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SI7461DP-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI7461DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7461DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7461DP-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, P-Channel 60V 8.6A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7461DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7461DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8MOSFET 60V 14.4A 5.4W 14.5mohm @ 10V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

8.6 A

Id-连续漏极电流

8.6 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

http://www.vishay.com/doc?72567

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7461DP-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SI7461DP-T1-GE3SI7461DP-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

1.9 W

Pd-功率耗散

1.9 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

14.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

14.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

- 60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

20 ns

下降时间

20 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

190nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

14.5 毫欧 @ 14.4A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

其它名称

SI7461DP-T1-GE3CT

典型关闭延迟时间

205 ns

功率-最大值

1.9W

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

封装/箱体

PowerPAK SO-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8.6A (Ta)

系列

SI74xxDx

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SI7461DP-GE3

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