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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SUM110N04-2M3L-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUM110N04-2M3L-E3价格参考。VishaySUM110N04-2M3L-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SUM110N04-2M3L-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SUM110N04-2M3L-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SUM110N04-2M3L-E3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管中的 FET(场效应晶体管)类别。该器件采用先进的沟槽技术制造,具有低导通电阻(RDS(on))、高开关效率和良好的热稳定性,适用于多种中低电压电源管理应用。 其典型应用场景包括:便携式电子设备(如智能手机、平板电脑和笔记本电脑)中的电源开关和负载管理;电池供电系统中的充放电控制与保护电路;DC-DC 转换器(如降压、升压拓扑)中作为开关元件以提高能效;电机驱动电路,用于小型直流电机或步进电机的控制;以及各类消费类电子产品和工业设备中的电源管理模块。 此外,由于其封装为 SOT-23(小外形晶体管封装),体积小巧,适合空间受限的高密度 PCB 设计。SUM110N04-2M3L-E3 还常用于热插拔控制器、LED 驱动电路和过流保护电路中,表现出优异的可靠性和响应速度。总体而言,该 MOSFET 适用于需要高效、小型化和低成本解决方案的低压功率开关场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 40V 110A D2PAKMOSFET 40V 110A 375W 2.3mohm @ 10V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 110 A |
Id-连续漏极电流 | 110 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUM110N04-2M3L-E3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SUM110N04-2M3L-E3SUM110N04-2M3L-E3 |
Pd-PowerDissipation | 3.75 W |
Pd-功率耗散 | 3.75 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.3 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.3 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 100 ns |
下降时间 | 200 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13600pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 360nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.3 毫欧 @ 30A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-263(D2Pak) |
其它名称 | SUM110N04-2M3L-E3DKR |
典型关闭延迟时间 | 125 ns |
功率-最大值 | 3.75W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 110A (Tc) |
系列 | SUM |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |