Datasheet下载- 型号： NTB30N06G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTB30N06G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTB30N06G价格参考。ON SemiconductorNTB30N06G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTB30N06G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTB30N06G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTB30N06G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点。该器件广泛应用于需要高效功率转换和控制的场合，以下是其典型应用场景： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等电路，用于提高电源转换效率并减少能量损耗。 2. 电机控制：在直流电机驱动、步进电机控制和电动工具中作为功率开关，实现对电机速度和方向的调节。 3. 电池供电设备：用于笔记本电脑、平板、UPS（不间断电源）及储能系统中，实现高效的电池充放电管理和电源切换。 4. 工业自动化：在PLC（可编程逻辑控制器）、继电器替代、工业开关电源中提供可靠的高频率开关性能。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、LED照明驱动、车载充电器等应用，满足汽车环境对可靠性和效率的要求。 6. 消费类电子产品：如电源适配器、智能家电、变频空调等，有助于实现小型化和高效能设计。 该MOSFET具备良好的导通特性和耐用性，适合中高功率应用，尤其在需要节能和散热性能的系统中表现优异。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTB30N06G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 46nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 42 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 88.2W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 27A （Ta） |
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