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型号： IPB026N06NATMA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IPB026N06NATMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB026N06NATMA1价格参考。InfineonIPB026N06NATMA1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 60V 25A（Ta），100A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） D²PAK（TO-263AB）。您可以下载IPB026N06NATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB026N06NATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IPB026N06NATMA1 是由英飞凌科技（Infineon Technologies）生产的单个MOSFET晶体管。该型号属于N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点，适用于多种电力电子应用领域。

 应用场景

1. 电源管理：
   - IPB026N06NATMA1 常用于各种电源管理系统中，如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高效率，特别适合于需要高效能的电源设计。
   
2. 电机驱动：
   - 该器件广泛应用于小型电机驱动电路中，如步进电机、无刷直流电机（BLDC）等。它能够提供快速且精确的电流控制，确保电机平稳运行，并且可以有效降低发热。

3. 电池管理系统 (BMS)：
   - 在电动汽车（EV）、混合动力汽车（HEV）及便携式设备的电池管理系统中，IPB026N06NATMA1 可用于充放电控制、过流保护等功能，保障电池的安全与寿命。

4. 工业自动化：
   - 工业控制系统中的开关电源、逆变器、伺服驱动器等设备也常使用此类型的MOSFET。它们具备良好的耐压性能和可靠性，能够在恶劣环境下稳定工作。

5. 消费电子产品：
   - 在笔记本电脑、平板电脑、智能手机等消费类电子产品中，IPB026N06NATMA1 被用于充电接口保护、USB PD快充协议实现等方面，确保设备安全并支持快速充电功能。

总之，IPB026N06NATMA1 凭借其优异的电气特性，在众多涉及电力转换与控制的应用场合表现出色，是高性能电力电子系统中的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
Id-ContinuousDrainCurrent	100 A
Id-连续漏极电流	100 A
品牌	Infineon Technologies
产品目录	半导体
描述	MOSFET MV POWER MOS
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB026N06NATMA1
产品型号	IPB026N06NATMA1
Pd-PowerDissipation	136 W
Pd-功率耗散	136 W
Qg-GateCharge	56 nC
Qg-栅极电荷	56 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	2.6 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	2.6 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	60 V
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	2.8 V
Vgsth-栅源极阈值电压	2.8 V
上升时间	15 ns
下降时间	8 ns
产品种类	MOSFET
典型关闭延迟时间	30 ns
商标	Infineon Technologies
商标名	OptiMOS
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	2.6 mOhms
封装	Reel
封装/箱体	D2PAK-2
工厂包装数量	1000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
正向跨导-最小值	160 S
汲极/源极击穿电压	60 V
漏极连续电流	100 A
系列	IPB026N06
配置	Single
零件号别名	SP000962142