ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > BCP56-10T1G
Datasheet下载- 型号： BCP56-10T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BCP56-10T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BCP56-10T1G价格参考￥0.40-￥3.40。ON SemiconductorBCP56-10T1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 80V 1A 130MHz 1.5W 表面贴装 SOT-223。您可以下载BCP56-10T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BCP56-10T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BCP56-10T1G 是由 ON Semiconductor 生产的双极晶体管（BJT），属于单个晶体管类型。这款晶体管具有低饱和电压和高电流增益的特点，适用于多种应用场景，特别是在需要高效开关和信号放大的电路中。 应用场景 1. 电源管理： - BCP56-10T1G 适合用于各种电源管理应用，如线性稳压器、低压差稳压器（LDO）等。其低饱和电压特性有助于提高电源效率，减少功耗。 2. 开关电路： - 在数字电路中，该晶体管可以用作开关元件，实现高速开关功能。例如，在继电器驱动、LED 驱动等场合，它能够提供稳定的开关性能，确保电路的可靠性和响应速度。 3. 信号放大： - 由于其高电流增益特性，BCP56-10T1G 可以用于音频放大器、传感器信号放大等模拟电路中，提供足够的增益来放大微弱信号，同时保持较低的噪声水平。 4. 电机控制： - 在小型电机控制中，BCP56-10T1G 可以作为驱动晶体管，控制电机的启动和停止。其快速响应和低饱和电压有助于提高电机的控制精度和效率。 5. 消费电子： - 该晶体管广泛应用于各种消费电子产品中，如智能手机、平板电脑、智能手表等。在这些设备中，它通常用于电池管理、充电电路、背光驱动等模块，帮助优化能源使用并延长电池寿命。 6. 工业自动化： - 在工业控制系统中，BCP56-10T1G 可以用于驱动电磁阀、步进电机等执行机构，实现精确的控制和高效的能量传输。 7. 通信设备： - 在通信领域，该晶体管可用于信号调理、功率放大等环节，确保信号的稳定传输和处理。 总的来说，BCP56-10T1G 凭借其优异的电气特性，适用于广泛的电子应用，尤其是在需要高效能、低功耗和高可靠性的电路设计中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 80V 1A SOT-223两极晶体管 - BJT 1A 100V NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BCP56-10T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BCP56-10T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 63 @ 150mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | BCP56-10T1G-ND |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 130 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-4 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 1.5 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 80V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 25 |
| 系列 | BCP56 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 100 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
| 集电极连续电流 | 1 A |
| 频率-跃迁 | 130MHz |
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