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  • 型号: SI2301-TP
  • 制造商: MCC
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SI2301-TP产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI2301-TP由MCC设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2301-TP价格参考¥1.42-¥3.63。MCCSI2301-TP封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, P-Channel 20V 2.8A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23。您可以下载SI2301-TP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI2301-TP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SI2301-TP是Micro Commercial Co(MCC)生产的一款P沟道增强型MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),广泛应用于中小功率的开关与控制场景。该器件采用SOT-23封装,体积小巧,适合高密度贴装的便携式电子设备。

其典型应用场景包括:电源管理开关,如电池供电设备中的负载开关或反向电流保护;便携式电子产品中的DC-DC转换电路,用于电压调节与功率控制;以及各类低电压、低功耗系统中的信号切换与驱动控制,例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机、移动电源等消费类电子产品。

SI2301-TP具有较低的导通电阻(Rds(on)),可有效减少导通损耗,提升能效;同时具备良好的栅极阈值电压特性,兼容3.3V或5V逻辑电平控制,便于与微控制器或数字电路直接接口。此外,其静电防护性能和热稳定性较好,适用于工业控制、家电控制模块及通信设备中的小型电源管理单元。

综上,SI2301-TP凭借小封装、低功耗、高可靠性等特点,主要适用于对空间和能效要求较高的便携式电子设备和中低功率电源开关应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23MOSFET P-CH -20V -2.8A 8S

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 2.8 A

Id-连续漏极电流

- 2.8 A

品牌

Micro Commercial Co

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Micro Commercial Components (MCC) SI2301-TP-

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产品型号

SI2301-TP

Pd-PowerDissipation

1.25 W

Pd-功率耗散

1.25 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

110 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

110 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

450mV @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

880pF @ 6V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

14.5nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

120 毫欧 @ 2.8A,4.5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24932

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-23

其它名称

SI2301-TPMSTR
SI2301TP

功率-最大值

1.25W

功率耗散

1.25 W

包装

带卷 (TR)

商标

Micro Commercial Components (MCC)

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

110 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

8 S

汲极/源极击穿电压

- 20 V

漏极连续电流

- 2.8 A

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.8A (Ta)

系列

SI2301

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