Datasheet下载- 型号： STW18N65M5
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STW18N65M5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW18N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTW18N65M5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STW18N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STW18N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）生产的STW18N65M5是一款N沟道增强型MOSFET，属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。该型号具有650V的击穿电压、低导通电阻和高开关速度，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用领域： 1. 开关电源（SMPS）： STW18N65M5适合用于开关模式电源中的功率开关，例如AC-DC或DC-DC转换器。其高耐压特性和优化的Rds(on)使其能够高效处理高压输入和大电流输出。 2. 电机驱动： 在工业控制和家用电器中，这款MOSFET可用于驱动中小型电机。它支持高效的PWM（脉宽调制）控制，适用于风扇、泵和其他电动设备。 3. 逆变器： 该器件适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）等应用，能够在高频下实现高效能量转换，同时保持较低的开关损耗。 4. 负载开关和保护电路： 在需要快速响应和低功耗的场景中，STW18N65M5可用作负载开关或过流保护元件，确保系统安全运行。 5. PFC（功率因数校正）电路： 由于其出色的电气特性，该MOSFET适用于Boost PFC拓扑结构，帮助提高系统的功率因数并减少谐波失真。 6. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）： 在车载充电器、DC-DC转换器和其他相关系统中，STW18N65M5可以提供可靠的性能，满足高电压环境的需求。 总之，STW18N65M5凭借其高耐压、低导通电阻和优异的热性能，成为各种高压、高效率电力电子应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N CH 650V 15A TO-247MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 9.4 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW18N65M5MDmesh™ V |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STW18N65M5 |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 31 nC |
| Qg-栅极电荷 | 31 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 220 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 220 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 上升时间 | 7 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1240pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 220 毫欧 @ 7.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | 497-13283-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF253702?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15A （Tc） |
| 系列 | STW18N65M5 |
| 配置 | Single |
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