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IRL640STRLPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRL640STRLPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL640STRLPBF价格参考。VishayIRL640STRLPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 17A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK。您可以下载IRL640STRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRL640STRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRL640STRLPBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于多种电力电子领域。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理:该器件适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电压调节模块(VRM),用于高效控制电流流动和降低功耗。 2. 电机驱动:在小型直流电机或步进电机驱动电路中,IRL640STRLPBF可用作开关元件,实现对电机速度和方向的精确控制。 3. 负载切换:用于负载切换应用,如电池供电设备中的电源切换,确保快速、可靠地接通或断开负载。 4. 保护电路:在过流保护、短路保护等电路设计中,该MOSFET可以作为关键开关元件,提供高效的保护功能。 5. 音频功率放大器:在D类音频放大器中,该器件可作为输出级开关,提供高效率和低失真的音频信号放大。 6. 汽车电子:适用于各种车载电子设备,如车窗升降器、座椅调节器和LED照明系统,满足汽车环境下的严格要求。 7. 消费电子产品:在笔记本电脑适配器、智能手机充电器和其他便携式设备中,该MOSFET有助于提高能源效率并减少发热。 8. 工业自动化:在工业控制系统中,用于继电器替代、电磁阀驱动以及各种传感器接口电路。 IRL640STRLPBF以其低导通电阻(Rds(on))、高电流处理能力和出色的热性能而著称,适合需要高效能和紧凑设计的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 17A D2PAKMOSFET N-Chan 200V 17 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 17 A |
| Id-连续漏极电流 | 17 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRL640STRLPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRL640STRLPBFIRL640STRLPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 180 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 83 ns |
| 下降时间 | 52 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 66nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 180 毫欧 @ 10A,5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | IRL640STRLPBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 44 ns |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 17A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |