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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP630TSTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP630TSTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQP630TSTU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQP630TSTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP630TSTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP630TSTU 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 开关电源(SMPS) - 用于开关模式电源中的高频开关元件,如降压、升压或反激式转换器。 - 提供高效的功率转换,适用于适配器、充电器和直流-直流转换器。 2. 电机驱动 - 用于小型直流电机的驱动电路,例如风扇、泵、玩具电机等。 - 能够承受较高的电流和电压,确保电机启动和运行时的稳定性。 3. 负载开关 - 在便携式电子设备中用作负载开关,控制电源的通断。 - 其低导通电阻(Rds(on))特性可减少功耗,提高效率。 4. 电池管理 - 用于锂离子电池保护电路,实现过流保护、短路保护和欠压保护。 - 在充电电路中作为功率开关,控制充电电流的大小。 5. LED 驱动 - 在 LED 照明应用中用作恒流源的开关元件。 - 支持 PWM 调光功能,提供精确的亮度调节。 6. 汽车电子 - 应用于车载电子设备,如车窗升降器、雨刷电机、座椅调节等。 - 具备良好的耐热性和抗噪性能,适合苛刻的汽车环境。 7. 信号放大与缓冲 - 在音频放大器或其他信号处理电路中用作输出级开关或缓冲器。 特性总结: - 额定电压:支持高达 100V 的漏源极电压,适合中高压应用。 - 额定电流:连续漏极电流可达 3.8A(25°C),满足多种功率需求。 - 低 Rds(on):典型值为 0.15Ω,降低导通损耗。 - 封装形式:采用 TO-220 封装,便于散热和安装。 FQP630TSTU 凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQP630TSTU |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 550pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 400 毫欧 @ 4.5A,10V |
供应商器件封装 | TO-220 |
功率-最大值 | 78W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9A (Tc) |