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产品简介:
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NVTFS5811NLWFTAG 是安森美半导体(ON Semiconductor)推出的一款单N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效能和高可靠性的场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器等电源模块,用于提高能效和降低功耗,常见于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源系统中。 2. 负载开关:用于控制电源分配,如在电池供电设备中作为高边或低边开关,实现对不同模块的供电管理,常见于移动设备和工业控制系统。 3. 电机驱动:适合用于小型电机或步进电机的驱动电路,如在打印机、扫描仪、机器人等设备中进行开关控制。 4. LED照明:用于LED背光或照明系统的开关控制,实现亮度调节和节能。 5. 汽车电子:符合AEC-Q101标准,适用于车载电源系统、车身控制模块(如车窗、门锁控制)等对可靠性要求高的场景。 该MOSFET采用TDFN封装,具备低导通电阻、高耐压(30V)和良好热性能,适合高频开关应用,同时节省PCB空间,适用于高密度设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 40V 40A U8FL |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NVTFS5811NLWFTAG |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1570pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6.7 毫欧 @ 20A,10V |
供应商器件封装 | * |
功率-最大值 | 3.2W |
包装 | * |
安装类型 | * |
封装/外壳 | * |
标准包装 | 1,500 |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 16A (Ta) |