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- 型号： IRFBE20S
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFBE20S由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFBE20S价格参考。VishayIRFBE20S封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFBE20S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFBE20S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 IRFBE20S 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，常用于需要高效开关和高耐压能力的电源管理与功率控制场景。其主要应用场景包括： 1. 电源转换设备：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）等，IRFBE20S具备高击穿电压和低导通电阻，适合用于高效率的功率转换电路中。 2. 电机驱动：在直流电机或步进电机的驱动电路中，该MOSFET可作为功率开关使用，具备快速开关能力和良好的热稳定性，有助于提升驱动效率和系统可靠性。 3. 负载开关与电源管理：用于电池供电设备中的负载开关控制，如笔记本电脑、平板、工业控制系统等，能够实现对不同电路模块的电源通断控制，降低待机功耗。 4. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）或小型逆变器中，IRFBE20S可用于构建H桥电路，实现直流到交流的电能转换。 5. 工业自动化与控制设备：如PLC、继电器替代电路、工业电源模块等，适用于对可靠性和效率有较高要求的工业环境。 该器件具备高耐用性和良好的热性能，适合多种中高功率应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFBE20S |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 530pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.5 欧姆 @ 1.1A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRFBE20S |
| 功率-最大值 | 54W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.8A （Tc） |
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