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  • 型号: LF353DR
  • 制造商: Texas Instruments
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供LF353DR由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 LF353DR价格参考¥0.75-¥0.91。Texas InstrumentsLF353DR封装/规格:线性 - 放大器 - 仪表,运算放大器,缓冲器放大器, J-FET 放大器 2 电路 8-SOIC。您可以下载LF353DR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有LF353DR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
-3db带宽

-

产品目录

集成电路 (IC)半导体

描述

IC OPAMP JFET 3MHZ 8SOIC运算放大器 - 运放 Dual JFET Op Amp

产品分类

Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps集成电路 - IC

品牌

Texas Instruments

产品手册

http://www.ti.com/litv/slos012b

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

放大器 IC,运算放大器 - 运放,Texas Instruments LF353DR-

数据手册

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产品型号

LF353DR

产品目录页面

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产品种类

运算放大器 - 运放

供应商器件封装

8-SOIC

共模抑制比—最小值

70 dB

关闭

No Shutdown

其它名称

296-14587-1

包装

剪切带 (CT)

单位重量

72.600 mg

单电源电压

7 V to 36 V

压摆率

13 V/µs

双重电源电压

+/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V

商标

Texas Instruments

增益带宽生成

3 MHz

增益带宽积

3MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工作温度

0°C ~ 70°C

工作电源电压

+/- 3.5 V to +/- 18 V

工厂包装数量

2500

技术

BiFET

放大器类型

J-FET

最大双重电源电压

+/- 18 V

最大工作温度

+ 70 C

最小双重电源电压

+/- 3.5 V

最小工作温度

0 C

标准包装

1

电压-电源,单/双 (±)

±3.5 V ~ 18 V

电压-输入失调

5mV

电流-电源

3.6mA

电流-输入偏置

50pA

电流-输出/通道

-

电源电流

6.5 mA

电路数

2

系列

LF353

设计资源

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176

转换速度

13 V/us

输入偏压电流—最大

200 pA

输入参考电压噪声

18 nV

输入补偿电压

10 mV

输出类型

-

通道数量

2 Channel

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