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Datasheet下载- 型号： SIA433EDJ-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SIA433EDJ-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIA433EDJ-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA433EDJ-T1-GE3价格参考。VishaySIA433EDJ-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK® SC-70-6 单。您可以下载SIA433EDJ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIA433EDJ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIA433EDJ-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电力电子设备中。该型号的主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理 SIA433EDJ-T1-GE3适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器等电源管理系统。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高系统的能效。在这些应用中，MOSFET作为开关元件，能够快速切换电流路径，确保电源的稳定输出。 2. 电机驱动 在无刷直流电机（BLDC）、步进电机和其他类型的电机驱动电路中，SIA433EDJ-T1-GE3可以用于控制电机的启动、停止和速度调节。其高耐压能力和快速开关速度使其能够在高频工作环境下保持良好的性能，同时降低发热，延长使用寿命。 3. 负载开关 该MOSFET可以用作负载开关，特别是在便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中。它可以在需要时迅速切断或接通电源，以节省电能并保护电路免受过流、短路等故障的影响。 4. 汽车电子 在汽车电子系统中，SIA433EDJ-T1-GE3可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、车身控制系统等。其AEC-Q101认证确保了其在严苛的汽车环境中具备可靠的性能和长寿命。 5. 工业自动化 在工业自动化领域，如可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器和机器人控制系统中，这款MOSFET可以用于信号传输、传感器接口和执行器控制。其紧凑的封装形式和优异的电气特性使其成为理想的选择。 6. 消费电子产品 在消费电子产品中，如智能家电、音频设备和LED照明系统中，SIA433EDJ-T1-GE3可以用于功率管理和信号处理，提供高效、稳定的性能表现。 总之，SIA433EDJ-T1-GE3凭借其低导通电阻、高耐压和快速开关速度等特点，广泛应用于多种电力电子设备中，尤其适合对效率和可靠性要求较高的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6MOSFET -20V 18mOhm@4.5V 12A P-Ch G-III |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 12 A |
| Id-连续漏极电流 | - 12 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIA433EDJ-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIA433EDJ-T1-GE3SIA433EDJ-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 19 W |
| Pd-功率耗散 | 19 W |
| Qg-GateCharge | 50 nC |
| Qg-栅极电荷 | 50 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 18 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 18 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1.2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1.2 V |
| 上升时间 | 1.7 us |
| 下降时间 | 3.2 us |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 75nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 18 毫欧 @ 7.6A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 单 |
| 其它名称 | SIA433EDJ-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 6 us |
| 功率-最大值 | 19W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 35 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SIA433EDJ-GE3 |
