Datasheet下载- 型号： NTD4860N-35G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4860N-35G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4860N-35G价格参考。ON SemiconductorNTD4860N-35G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD4860N-35G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4860N-35G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4860N-35G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于需要高效功率开关的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中，实现高效能电能转换，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源系统。 2. 电机控制：在直流电机或步进电机驱动电路中作为开关元件，用于工业自动化设备、机器人和电动工具等应用。 3. 负载开关：作为高侧或低侧开关，控制电池供电设备中的电源分配，如便携式电子产品、电动车辆和储能系统。 4. 逆变器与变频器：在小型逆变器和变频器中用于将直流电转换为交流电，适用于不间断电源（UPS）和太阳能逆变系统。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、LED照明驱动和电动助力转向系统（EPS）等汽车应用中，具备良好的热稳定性和耐用性。 该MOSFET具备低导通电阻、高开关速度和良好热性能，适合中高功率应用，是各类高效能电子系统中的关键元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 10.4A IPAKMOSFET NFET 25V 65A 0.0075R DPAK |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 13 A |
| Id-连续漏极电流 | 13 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD4860N-35G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTD4860N-35G |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 20.1 ns, 17 ns |
| 下降时间 | 4.3 ns, 2.3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1308pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 15.2 ns, 22 ns |
| 功率-最大值 | 1.28W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 7.5 mOhms |
| 封装 | Rail |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短截引线，IPak |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 汲极/源极击穿电压 | 25 V |
| 漏极连续电流 | 13 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10.4A （Ta）， 65A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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