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  • 型号: CSD19533Q5A
  • 制造商: Texas Instruments
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CSD19533Q5A产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CSD19533Q5A由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD19533Q5A价格参考。Texas InstrumentsCSD19533Q5A封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 100V 100A (Ta) 3.2W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)。您可以下载CSD19533Q5A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD19533Q5A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 100A 8SONMOSFET 100V 7.8mOhm N-CH Pwr MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

100 A

Id-连续漏极电流

75 A

品牌

Texas Instruments

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产品图片

rohs

符合RoHS含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制

产品系列

晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD19533Q5ANexFET™

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产品型号

CSD19533Q5A

Pd-PowerDissipation

3.2 W

Pd-功率耗散

3.2 W

Qg-GateCharge

27 nC

Qg-栅极电荷

27 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

8.7 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

8.7 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.8 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.8 V

上升时间

6 ns

下降时间

5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2670pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

35nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

11.1 毫欧 @ 13A, 6V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SON(5x6)

其它名称

296-37479-6

典型关闭延迟时间

16 ns

制造商产品页

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD19533Q5A

功率-最大值

3.2W

包装

Digi-Reel®

商标

Texas Instruments

商标名

NexFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-TDFN 裸露焊盘

封装/箱体

VSON-8 FET

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

63 ns

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100A(Ta)

系列

CSD19533Q5A

通道模式

Enhancement

配置

Single

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