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IRFZ34NPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFZ34NPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFZ34NPBF价格参考¥1.85-¥1.95。International RectifierIRFZ34NPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 55V 29A(Tc) 68W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRFZ34NPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFZ34NPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFZ34NPBF是由Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款N沟道功率MOSFET,属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。以下是其典型应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - IRFZ34NPBF广泛应用于开关电源中,作为主开关管或同步整流管。其低导通电阻(Rds(on))特性可以减少传导损耗,提高效率。 - 常用于直流-直流转换器(DC-DC Converter)、反激式变换器(Flyback Converter)和正激式变换器(Forward Converter)。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动应用中,IRFZ34NPBF可用作功率级开关,控制电机的启动、停止和速度调节。 - 适用于直流电机、步进电机和无刷直流电机(BLDC)的驱动电路。 3. 逆变器 - 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,IRFZ34NPBF可用于将直流电转换为交流电,实现高效的能量转换。 - 其快速开关特性和高耐压能力(Vds = 55V)使其适合此类应用。 4. 负载开关 - 用作负载开关以控制电路中的电流流动。例如,在汽车电子设备中,IRFZ34NPBF可用来开启或关闭特定负载。 - 其低导通电阻有助于降低功耗,同时提供高效的电流传输。 5. 电池管理系统(BMS) - 在电池保护电路中,IRFZ34NPBF可以用作充电/放电控制开关,确保电池在安全电压范围内工作。 - 它还可以用于过流保护和短路保护。 6. 音频功率放大器 - 在D类音频放大器中,IRFZ34NPBF可以用作输出级开关器件,提供高效率的音频信号放大。 - 其快速开关速度和低开关损耗非常适合此类高频应用。 7. 工业自动化 - 在工业控制系统中,IRFZ34NPBF可用于驱动电磁阀、继电器和其他执行器。 - 它能够承受较大的电流冲击,并提供稳定的性能。 总结 IRFZ34NPBF是一款性能可靠的N沟道功率MOSFET,适用于需要高效开关和低功耗的应用场景。其主要特点包括高耐压、低导通电阻和快速开关速度,因此在开关电源、电机驱动、逆变器、负载开关等领域具有广泛的用途。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 55V 29A TO-220ABMOSFET MOSFT 55V 26A 40mOhm 22.7nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 26 A |
Id-连续漏极电流 | 26 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFZ34NPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFZ34NPBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 56 W |
Pd-功率耗散 | 56 W |
Qg-GateCharge | 22.7 nC |
Qg-栅极电荷 | 22.7 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 40 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 700pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 40 毫欧 @ 16A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | *IRFZ34NPBF |
功率-最大值 | 68W |
功率耗散 | 56 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 40 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
栅极电荷Qg | 22.7 nC |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 55 V |
漏极连续电流 | 26 A |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 29A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfz34n.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfz34n.spi |
闸/源击穿电压 | 20 V |