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- 型号： STB6NK60Z-1
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB6NK60Z-1由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB6NK60Z-1价格参考。STMicroelectronicsSTB6NK60Z-1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STB6NK60Z-1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB6NK60Z-1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STB6NK60Z-1是一款高压超级结MOSFET，属于N沟道增强型功率晶体管，广泛应用于需要高效率和高耐压能力的电源系统中。其600V的漏源击穿电压和优异的导通电阻特性，使其特别适用于开关电源（SMPS）、AC-DC转换器和离线式电源适配器等场景。 该器件常用于节能型家电，如空调、洗衣机和冰箱中的电机驱动电路或辅助电源模块。此外，也适用于LED照明驱动电源，特别是在高功率、高能效要求的商业和工业照明系统中。由于具备良好的热稳定性和抗雪崩能力，STB6NK60Z-1在电磁炉、电热水壶等小家电的功率控制电路中也有广泛应用。 在工业领域，它可用于电源模块、充电器、UPS不间断电源以及太阳能逆变器等设备中，作为主开关元件实现高效能量转换。其优化的栅极电荷和开关损耗特性有助于提升系统整体效率，满足能源之星等能效标准。 总之，STB6NK60Z-1凭借高耐压、低损耗和高可靠性的特点，主要应用于各类中高功率开关电源及工业与消费类电子设备中的功率转换环节。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STB6NK60Z-1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SuperMESH™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 905pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 46nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.2 欧姆 @ 3A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 497-5955-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF203640?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Tc） |
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