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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SJ380(F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SJ380(F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SJ380(F)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SJ380(F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SJ380(F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 2SJ380(F) 的晶体管,属于 Toshiba Semiconductor and Storage(东芝半导体与存储)旗下产品,是一款 P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),常用于中低功率的开关和放大电路中。 主要应用场景包括: 1. 电源管理电路:适用于DC-DC转换器、稳压电源等,用于控制电流的通断,具有较低的导通电阻,有助于提高效率。 2. 负载开关:在电池供电设备中,作为负载开关使用,控制不同模块的供电,延长电池寿命。 3. 电机驱动电路:用于小型电机的驱动控制,如电动玩具、风扇、泵等设备中的开关控制。 4. 音频放大器:在低频音频功率放大电路中作为输出器件使用,提供良好的线性特性。 5. 工业控制设备:用于PLC(可编程逻辑控制器)、继电器替代电路、传感器接口电路中,实现高速开关控制。 6. 消费类电子产品:如电视、音响、充电器、LED驱动等设备中,作为功率开关或信号控制元件。 该器件具有较高的可靠性与稳定性,适用于多种通用开关和模拟电路应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | 2SJ380(F) |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 210 毫欧 @ 6A,10V |
供应商器件封装 | TO-220NIS |
功率-最大值 | 35W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Ta) |