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Datasheet下载- 型号： IRFR1018ETRPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR1018ETRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR1018ETRPBF价格参考￥3.43-￥3.52。International RectifierIRFR1018ETRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR1018ETRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR1018ETRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRFR1018ETRPBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，属于“晶体管 - FET，MOSFET - 单”类别。该型号具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用领域： 1. 电源管理 IRFR1018ETRPBF广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC适配器中。其低导通电阻特性能够减少功率损耗，提高效率，适合用于高效能的电源管理系统。 2. 电机驱动 该器件适用于小型直流电机、步进电机或伺服电机的驱动电路。其快速开关能力和低功耗特性使其成为电机控制的理想选择，尤其是在电池供电设备中。 3. 负载切换 在消费电子、工业设备或汽车电子中，IRFR1018ETRPBF可用于负载切换电路，以实现对不同负载的精确控制。例如，手机充电器中的负载切换或汽车电子系统中的电源分配。 4. 电池管理系统（BMS） 该MOSFET可用于电池保护电路，实现过流保护、短路保护以及充放电控制等功能，确保电池的安全运行。 5. 逆变器与太阳能系统 在小型逆变器或太阳能微逆变器中，IRFR1018ETRPBF可以作为开关元件，帮助实现高效的能量转换和管理。 6. 信号放大与缓冲 由于其低导通电阻和良好的线性特性，该器件还可用于信号放大和缓冲电路，特别是在需要低失真和高效率的应用中。 7. 汽车电子 在汽车应用中，IRFR1018ETRPBF可用于车身控制模块（BCM）、LED驱动、电动助力转向（EPS）等场景，提供可靠的开关性能。 综上所述，IRFR1018ETRPBF凭借其高性能参数和可靠性，适用于广泛的电力电子应用，特别是在需要高效能、低功耗和快速响应的场景中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 56A DPAKMOSFET MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 79 A |
| Id-连续漏极电流 | 79 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR1018ETRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR1018ETRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 46 nC |
| Qg-栅极电荷 | 46 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.1 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2290pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 69nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.4 毫欧 @ 47A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | IRFR1018ETRPBFCT |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 56A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfru1018e.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfru1018e.spi |
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