数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLZ44NLPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLZ44NLPBF价格参考。International RectifierIRLZ44NLPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRLZ44NLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLZ44NLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)旗下的型号 IRLZ44NLPBF 是一款 N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于FET晶体管中的单管MOSFET类别。 主要应用场景包括: 1. 电源管理与DC-DC转换器:适用于开关电源(SMPS)、电压调节模块(VRM)等,用于高效能转换和功率控制。 2. 电机驱动与控制:常用于直流电机、步进电机的驱动电路中,具备低导通电阻特性,有助于减少功率损耗。 3. 电池供电设备:如便携式电子设备、电动工具、无人机等,因其低电压驱动能力和高效率,适合电池供电系统。 4. 汽车电子系统:如车身控制模块、照明系统、车载充电器等,符合AEC-Q101汽车级可靠性标准。 5. 工业自动化与电机控制:用于工业电机、继电器替代、负载开关等高频率开关应用。 该MOSFET具有低栅极电荷、快速开关速度和高耐用性,适用于中高功率、高频开关场合,是工业和汽车领域中常用的功率器件。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 55V 47A TO-262MOSFET MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC Log Lvl |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 47 A |
Id-连续漏极电流 | 47 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLZ44NLPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRLZ44NLPBF |
PCN过时产品 | |
Pd-PowerDissipation | 110 W |
Pd-功率耗散 | 110 W |
Qg-GateCharge | 32 nC |
Qg-栅极电荷 | 32 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 35 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 35 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1700pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 22 毫欧 @ 25A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-262 |
其它名称 | *IRLZ44NLPBF |
功率-最大值 | 3.8W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 35 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
封装/箱体 | I2PAK-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 55 V |
漏极连续电流 | 47 A |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 47A (Tc) |