Datasheet下载- 型号： NTD3055L170T4G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD3055L170T4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD3055L170T4G价格参考￥1.11-￥1.13。ON SemiconductorNTD3055L170T4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD3055L170T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD3055L170T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD3055L170T4G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管产品。该器件广泛应用于需要高效、低导通电阻和高可靠性的电源管理场景。 其主要应用场景包括： 1. 电源转换系统：如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器，适用于中等功率的电压调节模块，因其低导通电阻（RDS(on)）可减少导通损耗，提高能效。 2. 电机驱动：常用于小型直流电机或步进电机的控制电路中，作为开关元件，提供快速响应和良好热稳定性。 3. 逆变器与UPS：在不间断电源（UPS）和小型逆变器中用于功率切换，支持高频工作，有助于缩小系统体积。 4. 照明电源：应用于LED驱动电源，特别是在工业或户外大功率LED照明系统中，具备良好的耐压和散热性能。 5. 消费电子与工业控制：如电源适配器、电池管理系统（BMS）、继电器替代等，适合需要高可靠性和长寿命的场合。 该MOSFET采用TO-252（D-Pak）封装，便于散热和PCB安装，具有100V漏源击穿电压和较高连续漏极电流能力，适合中高压、中等电流的应用环境。同时，其符合RoHS标准并具备无卤素版本，满足环保要求。 综上，NTD3055L170T4G是一款性能稳定、适用范围广的功率MOSFET，特别适用于工业电源、电机控制及各类电力电子变换设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 9A DPAKMOSFET 60V 9A N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9 A |
| Id-连续漏极电流 | 9 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD3055L170T4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTD3055L170T4G |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 28.5 W |
| Pd-功率耗散 | 28.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 170 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 170 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 15 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
| 上升时间 | 69 ns |
| 下降时间 | 38 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 275pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 170 毫欧 @ 4.5A，5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | NTD3055L170T4GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 10 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 功率耗散 | 28.5 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 170 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 7.3 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 9 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Ta） |
| 系列 | NTD3055L170 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 15 V |
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