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Datasheet下载- 型号： ZXMN2A02N8TA
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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ZXMN2A02N8TA产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN2A02N8TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN2A02N8TA价格参考。Diodes Inc.ZXMN2A02N8TA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 8.3A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO。您可以下载ZXMN2A02N8TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMN2A02N8TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOICMOSFET 20V N Chnl UMOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 10.2 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN2A02N8TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMN2A02N8TA |
| Pd-PowerDissipation | 1.56 W |
| Pd-功率耗散 | 1.56 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 40 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1900pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18.9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 20 毫欧 @ 11A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | ZXMN2A02N8TR |
| 典型关闭延迟时间 | 33.3 ns |
| 功率-最大值 | 1.56W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.3A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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