ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > ZXMN2A02N8TA
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
ZXMN2A02N8TA产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN2A02N8TA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN2A02N8TA价格参考。Diodes Inc.ZXMN2A02N8TA封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 8.3A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO。您可以下载ZXMN2A02N8TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXMN2A02N8TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXMN2A02N8TA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其常见的应用场景: 1. 电源管理 - ZXMN2A02N8TA 具有低导通电阻(Rds(on))特性,适合用于高效能的电源管理电路中,例如: - 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。 - DC-DC 转换器中的开关元件。 - 线性稳压器中的负载开关。 2. 电机驱动 - 该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关元件控制电机的启停和转向。 - 在 H 桥电路中,多个 ZXMN2A02N8TA 可以组合使用,实现对电机的双向控制。 3. 负载开关 - 在便携式设备(如智能手机、平板电脑等)中,ZXMN2A02N8TA 可用作负载开关,控制不同功能模块的供电状态,从而降低功耗。 - 它的低导通电阻有助于减少开关过程中的能量损耗。 4. 电池保护 - 在电池管理系统(BMS)中,ZXMN2A02N8TA 可用于过流保护、短路保护以及防止电池过放电。 - 它能够快速响应异常电流情况,切断电路以保护电池和相关设备。 5. 信号切换 - 在需要高速信号切换的应用中,ZXMN2A02N8TA 的低栅极电荷和快速开关速度使其成为理想选择,例如音频信号切换、数据信号路由等。 6. 消费电子设备 - 该 MOSFET 广泛应用于各种消费电子产品中,如充电器、适配器、家用电器等,提供高效的功率转换和控制。 7. 工业应用 - 在工业自动化领域,ZXMN2A02N8TA 可用于控制传感器、执行器或其他低功率设备的电源供应。 总结 ZXMN2A02N8TA 凭借其低导通电阻、高开关速度和可靠性,适用于多种需要高效功率控制和低损耗的场景。无论是消费电子、工业设备还是汽车电子领域,这款 MOSFET 都能提供稳定且高效的性能表现。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOICMOSFET 20V N Chnl UMOS |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 10.2 A |
Id-连续漏极电流 | 10.2 A |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN2A02N8TA- |
数据手册 | |
产品型号 | ZXMN2A02N8TA |
Pd-PowerDissipation | 1.56 W |
Pd-功率耗散 | 1.56 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 40 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
上升时间 | 10 ns |
下降时间 | 10 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 700mV @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1900pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18.9nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 20 毫欧 @ 11A,4.5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SOP |
其它名称 | ZXMN2A02N8TR |
典型关闭延迟时间 | 33.3 ns |
功率-最大值 | 1.56W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SO-8 |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 500 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8.3A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Quad Drain Triple Source |