图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: ZXMN2A02N8TA
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

ZXMN2A02N8TA产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN2A02N8TA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN2A02N8TA价格参考。Diodes Inc.ZXMN2A02N8TA封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 8.3A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO。您可以下载ZXMN2A02N8TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXMN2A02N8TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ZXMN2A02N8TA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其常见的应用场景:

 1. 电源管理
   - ZXMN2A02N8TA 具有低导通电阻(Rds(on))特性,适合用于高效能的电源管理电路中,例如:
     - 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
     - DC-DC 转换器中的开关元件。
     - 线性稳压器中的负载开关。

 2. 电机驱动
   - 该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关元件控制电机的启停和转向。
   - 在 H 桥电路中,多个 ZXMN2A02N8TA 可以组合使用,实现对电机的双向控制。

 3. 负载开关
   - 在便携式设备(如智能手机、平板电脑等)中,ZXMN2A02N8TA 可用作负载开关,控制不同功能模块的供电状态,从而降低功耗。
   - 它的低导通电阻有助于减少开关过程中的能量损耗。

 4. 电池保护
   - 在电池管理系统(BMS)中,ZXMN2A02N8TA 可用于过流保护、短路保护以及防止电池过放电。
   - 它能够快速响应异常电流情况,切断电路以保护电池和相关设备。

 5. 信号切换
   - 在需要高速信号切换的应用中,ZXMN2A02N8TA 的低栅极电荷和快速开关速度使其成为理想选择,例如音频信号切换、数据信号路由等。

 6. 消费电子设备
   - 该 MOSFET 广泛应用于各种消费电子产品中,如充电器、适配器、家用电器等,提供高效的功率转换和控制。

 7. 工业应用
   - 在工业自动化领域,ZXMN2A02N8TA 可用于控制传感器、执行器或其他低功率设备的电源供应。

 总结
ZXMN2A02N8TA 凭借其低导通电阻、高开关速度和可靠性,适用于多种需要高效功率控制和低损耗的场景。无论是消费电子、工业设备还是汽车电子领域,这款 MOSFET 都能提供稳定且高效的性能表现。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOICMOSFET 20V N Chnl UMOS

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

10.2 A

Id-连续漏极电流

10.2 A

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN2A02N8TA-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

ZXMN2A02N8TA

Pd-PowerDissipation

1.56 W

Pd-功率耗散

1.56 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

40 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

40 mOhms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

10 ns

下降时间

10 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

700mV @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1900pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

18.9nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

20 毫欧 @ 11A,4.5V

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SOP

其它名称

ZXMN2A02N8TR

典型关闭延迟时间

33.3 ns

功率-最大值

1.56W

包装

带卷 (TR)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SO-8

工厂包装数量

500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

500

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8.3A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

推荐商品

型号:SUD50N03-06AP-T4E3

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:PMZB290UNE,315

品牌:Nexperia USA Inc.

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRL520STRL

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:TK10A60D(STA4,Q,M)

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:BSN20,215

品牌:Nexperia USA Inc.

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:RSR025N03TL

品牌:Rohm Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:STP310N10F7

品牌:STMicroelectronics

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:SIHD6N65E-GE3

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
ZXMN2A02N8TA 相关产品

SIR826ADP-T1-GE3

品牌:Vishay Siliconix

价格:

DMP2066LVT-13

品牌:Diodes Incorporated

价格:

IRLML6401TR

品牌:Infineon Technologies

价格:

FQB85N06TM_AM002

品牌:ON Semiconductor

价格:

IXTT110N10P

品牌:IXYS

价格:

IRFP150

品牌:Vishay Siliconix

价格:

FDPF3860TYDTU

品牌:ON Semiconductor

价格:

FQP4N20L

品牌:ON Semiconductor

价格: