【晶体管 - FET，MOSFET - 单_STD18N55M5】封装/厂家_STD18N55M5中文资料_价格

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型号： STD18N55M5
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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STD18N55M5产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供STD18N55M5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD18N55M5价格参考￥询价-￥询价。STMicroelectronicsSTD18N55M5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 550V 16A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK。您可以下载STD18N55M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STD18N55M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 550V 13A DPAKMOSFET N-Ch 550V 0.18 13A Mdmesh V Power MOS
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	13 A
Id-连续漏极电流	13 A
品牌	STMicroelectronics
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD18N55M5MDmesh™ V
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	STD18N55M5
Pd-PowerDissipation	90 W
Pd-功率耗散	90 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	240 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	240 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	550 V
Vds-漏源极击穿电压	550 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1260pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	31nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	192 mOhm @ 8A， 10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=21007
产品种类	Power MOSFET Transistors
供应商器件封装	D-Pak
其它名称	497-10955-2
其它有关文件	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF245209?referrer=70071840
功率-最大值	110W
包装	带卷（TR）
商标	STMicroelectronics
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	240 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
封装/箱体	DPAK-2
工厂包装数量	2500
晶体管极性	N-Channel
标准包装	2,500
汲极/源极击穿电压	550 V
漏极连续电流	13 A
漏源极电压(Vdss)	550V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	16A （Tc）
系列	STD18N55M5