Datasheet下载- 型号： ZXMN2A01E6TA
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN2A01E6TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN2A01E6TA价格参考。Diodes Inc.ZXMN2A01E6TA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXMN2A01E6TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMN2A01E6TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXMN2A01E6TA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款P沟道增强型MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管产品。该器件采用1.2W的小型SOT-23（SC-70）封装，具有低导通电阻、低阈值电压和高开关效率等特点，适用于空间受限且对功耗敏感的便携式电子设备。 典型应用场景包括： 1. 电源管理开关：常用于电池供电设备中的负载开关或电源通断控制，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，实现低静态电流和快速响应。 2. 电压反转与电平转换：在数字电路中用于逻辑电平转换，兼容不同电压域的信号传输，适用于I2C、GPIO等接口的电平匹配。 3. 电机驱动与继电器驱动：作为小型直流电机或继电器的控制开关，提供可靠的开关性能。 4. 过流与反向电压保护电路：可用于防止电池反接或过流损坏系统，提升电路可靠性。 5. 消费类电子产品：广泛应用于蓝牙耳机、移动电源、LED驱动模块、智能家居传感器等小型化电子产品中。 因其小封装、高集成度和良好的热稳定性，ZXMN2A01E6TA特别适合高密度PCB布局和需要节能设计的应用场合。同时，其符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，满足现代电子制造的环保要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 2.44 A SOT-23-6MOSFET 20V N-Chnl UMOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.1 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 过渡期间无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN2A01E6TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMN2A01E6TA |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.1 W |
| Pd-功率耗散 | 1.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 225 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 225 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 5.21 ns |
| 下降时间 | 5.21 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 303pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 120 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-6 |
| 其它名称 | ZXMN2A01E6CT |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 7.47 ns |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SOT-23-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.5A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
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