ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IRLH5034TR2PBF
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRLH5034TR2PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLH5034TR2PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLH5034TR2PBF价格参考。International RectifierIRLH5034TR2PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 29A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),156W(Tc) 8-PQFN(5x6)。您可以下载IRLH5034TR2PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLH5034TR2PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRLH5034TR2PBF的MOSFET属于P沟道增强型功率MOSFET,常用于需要高效、低导通电阻的电源管理场合。 该器件的主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器等,用于提高电源转换效率,常见于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块中。 2. 负载开关:在电池供电设备中作为负载开关,用于控制电源通断,实现节能和过载保护功能。 3. 电机控制:可用于小型电机驱动电路中,作为高边或低边开关,实现对电机启停和方向的控制。 4. 工业自动化:广泛应用于工业控制系统中的功率开关,如PLC模块、传感器供电控制等。 5. 汽车电子:适用于车载电源系统、LED照明驱动、电动工具等对可靠性和效率要求较高的场景。 该MOSFET具有低导通电阻、高可靠性和良好的热稳定性,适合高频开关应用,是一款性能稳定的通用型功率器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 100A 5X6 PQFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRLH5034TR2PBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4730pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 82nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.4 毫欧 @ 50A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | PQFN(5x6) |
| 其它名称 | IRLH5034TR2PBFDKR |
| 功率-最大值 | 3.6W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVQFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 29A (Ta), 100A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlh5034pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlh5034pbf.spi |