【晶体管 - FET，MOSFET - 单_IRLH5034TR2PBF】封装/厂家_IRLH5034TR2PBF中文资料_价格

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详细数据请看参考数据手册

型号： IRLH5034TR2PBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IRLH5034TR2PBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLH5034TR2PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLH5034TR2PBF价格参考。International RectifierIRLH5034TR2PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 40V 29A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） 8-PQFN（5x6）。您可以下载IRLH5034TR2PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLH5034TR2PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 40V 100A 5X6 PQFN
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	International Rectifier
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	IRLH5034TR2PBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	4730pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	82nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	2.4 毫欧 @ 50A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240
供应商器件封装	PQFN（5x6）
其它名称	IRLH5034TR2PBFDKR
功率-最大值	3.6W
包装	Digi-Reel®
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-PowerVQFN
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	40V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	29A （Ta）， 100A （Tc）
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlh5034pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlh5034pbf.spi