Datasheet下载- 型号： FDG313N
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDG313N由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDG313N价格参考。Fairchild SemiconductorFDG313N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDG313N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDG313N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDG313N 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括以下几类： 1. 电源管理 - FDG313N 的低导通电阻（Rds(on)）特性使其非常适合用于高效能的电源管理电路中，例如 DC-DC 转换器、开关模式电源（SMPS）、电压调节模块（VRM）等。 - 它可以作为开关元件，在这些应用中实现高效的电能转换和分配。 2. 电机驱动 - 在小型电机控制中，FDG313N 可以用作驱动电路中的功率开关，适用于风扇、泵、玩具电机等低功率电机的启动和调速。 - 其快速开关特性和低损耗有助于提高电机驱动系统的效率。 3. 负载开关 - FDG313N 常用于消费电子设备中的负载开关应用，例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备。 - 它能够快速响应并控制电流流向不同的负载，同时减少功耗和热量产生。 4. 电池保护与管理 - 在电池管理系统（BMS）中，FDG313N 可用于过流保护、短路保护以及电池充放电控制。 - 它的低导通电阻有助于降低电池路径上的压降，从而延长电池寿命。 5. 信号切换 - 在通信设备或工业控制系统中，FDG313N 可用于信号切换电路，实现不同信号路径的选择和隔离。 - 其高频率工作能力支持高速数据传输和切换需求。 6. 汽车电子 - 在汽车电子领域，FDG313N 可用于车身控制模块（BCM）、LED 照明驱动、辅助电源系统等。 - 它的小封装尺寸（如 SOT-23 或其他紧凑型封装）适合空间受限的应用环境。 总之，FDG313N 凭借其优异的电气性能和紧凑的封装形式，广泛应用于需要高效功率开关和低功耗的场景中。在设计时需注意散热管理及栅极驱动电压范围，以确保其稳定运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6MOSFET SC70-6 N-CH 25V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 950 mA |
| Id-连续漏极电流 | 950 mA |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDG313N- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDG313N |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.75 W |
| Pd-功率耗散 | 750 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 350 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 350 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 8.5 ns |
| 下降时间 | 8.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 450 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 |
| 其它名称 | FDG313NFSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 17 ns |
| 功率-最大值 | 480mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 28 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 1.5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 950mA （Ta） |
| 系列 | FDG313N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
| 零件号别名 | FDG313N_NL |
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