ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > AUIRFB8409
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
AUIRFB8409产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供AUIRFB8409由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AUIRFB8409价格参考。International RectifierAUIRFB8409封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 40V 195A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB。您可以下载AUIRFB8409参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有AUIRFB8409 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的AUIRFB8409是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力,适用于汽车电子、工业控制、电源管理和电动工具等多个领域。 在汽车电子方面,AUIRFB8409常用于电机驱动、电动助力转向系统(EPS)、车载充电系统以及电池管理系统(BMS),其高可靠性和耐高温特性使其适应汽车严苛的工作环境。在工业应用中,它被广泛用于变频器、伺服驱动器、不间断电源(UPS)和开关电源(SMPS)中,以实现高效、紧凑的功率设计。 此外,AUIRFB8409也适用于高功率负载开关、DC-DC转换器以及电机控制电路,支持高频开关操作,有助于提升系统效率并减少能量损耗。由于其具备优良的热稳定性和短路保护能力,该器件在要求高稳定性和安全性的应用中表现出色。 综上,AUIRFB8409适用于对性能、效率和可靠性有较高要求的功率电子系统,尤其适合汽车与工业领域的高负载应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 195A TO220ABMOSFET Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 195 A |
| Id-连续漏极电流 | 195 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier AUIRFB8409HEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | AUIRFB8409 |
| Pd-PowerDissipation | 375 W |
| Pd-功率耗散 | 375 W |
| Qg-GateCharge | 300 nC |
| Qg-栅极电荷 | 300 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.2 V to 3.9 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.2 V to 3.9 V |
| 上升时间 | 105 ns |
| 下降时间 | 100 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14240pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 450nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.3 毫欧 @ 100A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | IRAUIRFB8409 |
| 典型关闭延迟时间 | 160 ns |
| 功率-最大值 | 375W |
| 功率耗散 | 375 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 商标名 | CoolIRFet |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 1.2 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 300 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 150 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 195 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/40-v-automotivequalified-coolirfet-mosfet/51372 |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 195A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |