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  • 型号: AUIRFB8409
  • 制造商: International Rectifier
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AUIRFB8409产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供AUIRFB8409由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AUIRFB8409价格参考。International RectifierAUIRFB8409封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 40V 195A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB。您可以下载AUIRFB8409参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有AUIRFB8409 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)的AUIRFB8409是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力,适用于汽车电子、工业控制、电源管理和电动工具等多个领域。

在汽车电子方面,AUIRFB8409常用于电机驱动、电动助力转向系统(EPS)、车载充电系统以及电池管理系统(BMS),其高可靠性和耐高温特性使其适应汽车严苛的工作环境。在工业应用中,它被广泛用于变频器、伺服驱动器、不间断电源(UPS)和开关电源(SMPS)中,以实现高效、紧凑的功率设计。

此外,AUIRFB8409也适用于高功率负载开关、DC-DC转换器以及电机控制电路,支持高频开关操作,有助于提升系统效率并减少能量损耗。由于其具备优良的热稳定性和短路保护能力,该器件在要求高稳定性和安全性的应用中表现出色。

综上,AUIRFB8409适用于对性能、效率和可靠性有较高要求的功率电子系统,尤其适合汽车与工业领域的高负载应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 40V 195A TO220ABMOSFET Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

195 A

Id-连续漏极电流

195 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier AUIRFB8409HEXFET®

数据手册

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产品型号

AUIRFB8409

Pd-PowerDissipation

375 W

Pd-功率耗散

375 W

Qg-GateCharge

300 nC

Qg-栅极电荷

300 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.2 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

1.2 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.2 V to 3.9 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.2 V to 3.9 V

上升时间

105 ns

下降时间

100 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.9V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

14240pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

450nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.3 毫欧 @ 100A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

IRAUIRFB8409

典型关闭延迟时间

160 ns

功率-最大值

375W

功率耗散

375 W

包装

管件

商标

International Rectifier

商标名

CoolIRFet

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

1.2 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

300 nC

标准包装

50

正向跨导-最小值

150 S

汲极/源极击穿电压

40 V

漏极连续电流

195 A

漏源极电压(Vdss)

40V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/40-v-automotivequalified-coolirfet-mosfet/51372

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

195A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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