图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: AUIRFB8409
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

AUIRFB8409产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供AUIRFB8409由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AUIRFB8409价格参考。International RectifierAUIRFB8409封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 40V 195A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB。您可以下载AUIRFB8409参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有AUIRFB8409 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 40V 195A TO220ABMOSFET Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

195 A

Id-连续漏极电流

195 A

品牌

International Rectifier

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier AUIRFB8409HEXFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

AUIRFB8409

Pd-PowerDissipation

375 W

Pd-功率耗散

375 W

Qg-GateCharge

300 nC

Qg-栅极电荷

300 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.2 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

1.2 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.2 V to 3.9 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.2 V to 3.9 V

上升时间

105 ns

下降时间

100 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.9V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

14240pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

450nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.3 毫欧 @ 100A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

IRAUIRFB8409

典型关闭延迟时间

160 ns

功率-最大值

375W

功率耗散

375 W

包装

管件

商标

International Rectifier

商标名

CoolIRFet

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

1.2 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

300 nC

标准包装

50

正向跨导-最小值

150 S

汲极/源极击穿电压

40 V

漏极连续电流

195 A

漏源极电压(Vdss)

40V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/40-v-automotivequalified-coolirfet-mosfet/51372

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

195A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 20 V

推荐商品

型号:IXFH320N10T2

品牌:IXYS

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:SI7439DP-T1-GE3

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:VP2450N3-G

品牌:Microchip Technology

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:DMN26D0UFB4-7

品牌:Diodes Incorporated

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:DMN3005LK3-13

品牌:Diodes Incorporated

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:FQPF3N80CYDTU

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:ZVP2110ASTZ

品牌:Diodes Incorporated

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRF9530NL

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
AUIRFB8409 相关产品

IRF7811AVPBF

品牌:Infineon Technologies

价格:

SI1031R-T1-GE3

品牌:Vishay Siliconix

价格:

NVF3055L108T3G

品牌:ON Semiconductor

价格:

NTD5802NT4G

品牌:ON Semiconductor

价格:¥2.88-¥2.88

IRFR2905ZTRL

品牌:Infineon Technologies

价格:

IRF7811WTR

品牌:Infineon Technologies

价格:

DMT6010LFG-7

品牌:Diodes Incorporated

价格:

BUK652R0-30C,127

品牌:NXP USA Inc.

价格: