Datasheet下载- 型号： STF7N80K5
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STF7N80K5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF7N80K5价格参考。STMicroelectronicsSTF7N80K5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STF7N80K5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STF7N80K5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STF7N80K5是一款N沟道功率MOSFET，主要应用于需要高效开关和低导通损耗的场景。以下是其典型应用场景： 1. 开关电源（SMPS）： STF7N80K5适用于各种开关电源设计，包括DC-DC转换器、AC-DC适配器等。其高电压耐受能力（800V）和低导通电阻（Rds(on) = 2.2Ω @ Vgs=10V）使其成为高压开关应用的理想选择。 2. 电机驱动： 在电机控制电路中，该器件可以用作开关元件，用于控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性和低功耗有助于提高电机驱动系统的效率。 3. 逆变器： 用于太阳能逆变器或不间断电源（UPS）系统中，作为高频开关元件，实现直流到交流的转换。其出色的热特性和电气性能确保了系统的稳定运行。 4. 电磁阀和继电器驱动： 由于其能够承受较高的电压和电流，STF7N80K5非常适合用于工业自动化设备中的电磁阀和继电器驱动电路。 5. 负载切换： 在需要频繁开启或关闭高电压负载的情况下，这款MOSFET可以提供可靠的切换功能，同时减少能量损失。 6. PFC（功率因数校正）电路： 在功率因数校正电路中，STF7N80K5可帮助改善输入电流波形，从而提高整个系统的功率因数。 总之，STF7N80K5凭借其优异的电气参数和可靠性，广泛应用于各种电力电子设备中，特别是在需要处理高电压、大电流以及高效能转换的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N CH 800V 6A TO220FPMOSFET N-Ch 800V 0.95Ohm 6A SuperMESH 5 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF7N80K5SuperMESH5™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STF7N80K5 |
| Pd-PowerDissipation | 25 W |
| Pd-功率耗散 | 25 W |
| Qg-GateCharge | 13.4 nC |
| Qg-栅极电荷 | 13.4 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 8.3 ns |
| 下降时间 | 22.2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 360pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.2 欧姆 @ 3A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | 497-13597-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF254107?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 23.7 ns |
| 功率-最大值 | 25W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 1.2 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 800 V |
| 漏极连续电流 | 6 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Tc） |
| 系列 | STF7N80K5 |
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