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  • 型号: 2SC5200-O(Q)
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2SC5200-O(Q)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC5200-O(Q)价格参考¥8.72-¥15.03。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SC5200-O(Q)封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 230V 15A 30MHz 150W 通孔 TO-3P(L)。您可以下载2SC5200-O(Q)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SC5200-O(Q) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN 230V 15A TO-3PL两极晶体管 - BJT NPN 230V 15A

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba

产品手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/docget.jsp?pid=2SC5200&lang=en&type=datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Toshiba 2SC5200-O(Q)-

数据手册

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产品型号

2SC5200-O(Q)2SC5200-O(Q)

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

3V @ 800mA,8A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 1A,5V

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

TO-3P(L)

其它名称

2SC5200-0(Q)
2SC5200-OQ
2SC5200OQ

功率-最大值

150W

包装

管件

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

Toshiba

增益带宽产品fT

30 MHz

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装/外壳

TO-3PL

封装/箱体

TO-3P

工厂包装数量

100

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

150000 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

15 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1,000

电压-集射极击穿(最大值)

230V

电流-集电极(Ic)(最大值)

15A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

80

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

230 V

集电极—基极电压VCBO

230 V

频率-跃迁

30MHz

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