ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > CSD88537NDT
Datasheet下载- 型号： CSD88537NDT
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD88537NDT由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD88537NDT价格参考￥3.78-￥6.34。Texas InstrumentsCSD88537NDT封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 60V 15A 2.1W 表面贴装 8-SO。您可以下载CSD88537NDT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD88537NDT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD88537NDT是Texas Instruments（德州仪器）推出的一款双通道N沟道同步降压MOSFET阵列，采用8引脚HSO-8封装。该器件集成了两个高性能的MOSFET（上管和下管），专为高效率、高密度的同步降压转换器设计，广泛应用于需要高效电源管理的场景。 其主要应用场景包括： 1. 服务器与通信设备电源：用于CPU、ASIC、FPGA等核心器件的多相或单相同步降压电源模块，提供高电流输出和低功耗损耗。 2. 工业自动化系统：在PLC、电机驱动控制器等工业电源中，实现稳定高效的电压转换。 3. 数据中心电源管理：适用于高密度电源单元（VRMs），支持动态负载变化，提升能效。 4. 电信基础设施：如基站、交换机和路由器中的DC-DC转换电路，满足高可靠性与散热要求。 5. 高端消费类电子产品：用于高性能计算设备或图形处理器的供电方案。 CSD88537NDT具备低导通电阻（RDS(on)）、优异的热性能和集成栅极驱动设计，有助于减少外围元件数量，提高系统可靠性和功率密度。同时，其紧凑封装适合空间受限的应用环境，是现代高效开关电源设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CSD88537NDT |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | NexFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.6V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1400pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 15 毫欧 @ 8A， 10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | 296-37795-6 |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD88537NDT |
| 功率-最大值 | 2.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15A |
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